晶体管篇：关于负载开关ON时的浪涌电流

关于负载开关ON时的浪涌电流

负载开关Q1导通瞬间会暂时流过比稳态电流大得多的电流。输出侧的负载容量CL的电荷接近零时，向输出VO施加电压的瞬间会流过大充电电流。

这种流过大电流的现象称作浪涌电流（Flash Current）。

浪涌电流的峰值大体可以通过输入电压VI、MOSFET Q1的RDS（on）和负载侧负载容量CL的ESR确定，输入电压VIN变大时，电流也相应变大。

浪涌电流显著变大时，有可能会引起误动作和系统问题。

而且，在超过最大额定电流时，有导致破坏的危险。通过与MOSFET Q1的栅极、源极间电阻R1并联追加电容器C2， 并缓慢降低Q1的栅极电压，可以缓慢地使RDS（on）变小，从而可以抑制浪涌电流。

■负载开关等效威廉希尔官方网站 图

关于Nch MOSFET负载开关ON时的浪涌电流应对措施

■Nch MOSFET负载开关等效威廉希尔官方网站 图

Nch MOSFET 负载开关：RSQ020N03

VIN=5V， IO=1A，　Q1_1G=1V→12V

Q2 OFF时，负载SWQ1 ON。（Q1的栅极电压设定在VO（VGSQ1）之上。）

Q2 ON时，负载SWQ1 OFF。

Q1 ON时，由于会流过浪涌电流，所以作为应对措施追加C2。

关于负载开关OFF时的逆电流

即使在负载开关Q1从ON到OFF时，由于存在输出侧负载容量CL，所以输出VO引脚的电压会残留一定时间。

输入VI侧比输出VO侧电压低时，由于MOSFET Q1的漏极、源极间存在寄生二极管，所以有时寄生二极管导通会发生从输出VO侧到输入VIN侧的逆电流。

要注意，不要超过MOSFET Q1的额定电流值。

关于输入旁路电容器CIN的容量值，请在充分探讨负载侧条件、上升时间后再决定。

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编辑：hfy