南大光电自主研发的 ArF（193nm）光刻胶成功通过认证
今日南大光电发布公告称，其控股子公司 “宁波南大光电”自主研发的 ArF（193nm）光刻胶产品近日成功通过客户的使用认证。报告显示，“本次认证选择客户 50nm 闪存产品中的控制栅进行验证，宁波南大光电的ArF光刻胶产品测试各项性能满足工艺规格要求，良率结果达标。”
“ArF 光刻胶产品开发和产业化”是宁波南大光电承接国家 “02 专项”的一个重点攻关项目。本次产品的认证通过，标志着 “ArF 光刻胶产品开发和产业化”项目取得了关键性的突破，成为国内通过产品验证的第一只国产 ArF 光刻胶。
据IT之家了解，光刻胶是半导体芯片制造过程中的核心材料之一 ，经过紫外光、电子束等照射，光刻胶得到曝光，化学性质发生改变，经过显影液的洗涤，图案会留在衬底上。光刻胶分为 KrF（248nm）、ArF（193nm）和 EUV（13.5nm）几种，括号中的数值为曝光光源的波长。
责任编辑：PSY
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
半导体
+关注
关注
334文章
27362浏览量
218643 -
光刻胶
+关注
关注
10文章
317浏览量
30238 -
南大光电
+关注
关注
0文章
20浏览量
4945
发布评论请先 登录
相关推荐
一文解读光刻胶的原理、应用及市场前景展望
光刻技术是现代微电子和纳米技术的研发中的关键一环，而光刻胶，又是光刻技术中的关键组成部分。随着技术的发展，对微小、精密的结构的需求日益增强，光刻胶
一文看懂光刻胶的坚膜工艺及物理特性和常见光刻胶
共读好书关于常用光刻胶型号也可以查看这篇文章：收藏！常用光刻胶型号资料大全，几乎包含所有芯片用光刻胶欢迎扫码添加小编微信扫码加入知识星球，领取公众号资料
国产光刻胶通过半导体工艺量产验证
来源：太紫微公司 近日，光谷企业在半导体专用光刻胶领域实现重大突破：武汉太紫微光电科技有限公司（以下简称“太紫微公司”）推出的T150 A光刻胶产品，已通过半导体工艺量产验证，实现配方
如何成功的烘烤微流控SU-8光刻胶？
在微流控PDMS芯片加工的过程中，需要使用烘胶台或者烤胶设备对SU-8光刻胶或PDMS聚合物进行烘烤。SU-8光刻胶的烘烤通常需要进行2-3次。本文简要介绍SU-8
如何成功的旋涂微流控SU-8光刻胶？
在微流控PDMS芯片或SU-8模具制作的过程中，需要把PDMS胶或SU-8光刻胶根据所需要的厚度来选择合适的旋涂转速并且使PDMS胶或SU-8胶涂布均匀化。 如何
导致光刻胶变色的原因有哪些？
存储时间 正胶和图形反转胶在存储数月后会变暗，而且随着储存温度升高而加速。因为该类型光刻胶含有的光活性化合物形成偶氮染料，在 可见光谱的部分具有很强的吸收能力，对紫外灵敏度没有任何影响。这种变色过程
光刻胶的硬烘烤技术
根据光刻胶的应用工艺，我们可以采用适当的方法对已显影的光刻胶结构进行处理以提高其化学或物理稳定性。通常我们可以采用烘烤步骤来实现整个光刻胶结构的热交联，称为硬烘烤或者坚膜。或通过低剂量
光刻胶的一般特性介绍
越小。曝光剂量以毫焦耳每平方厘米（mJ/cm2）为单位.光刻胶聚合物分子的解链或者交联是通过吸收特定波长的光辐射能量完成的。一种光刻胶通常只在某些特定的波长范围内使用，因此需要注意每款光刻胶
光刻胶后烘技术
后烘是指（post exposure bake-PEB）是指在曝光之后的光刻胶膜的烘烤过程。由于光刻胶膜还未显影，也就是说还未闭合，PEB也可以在高于光刻胶软化温度的情况下进行。前面的文章中我们在
光刻胶的保存和老化失效
我们在使用光刻胶的时候往往关注的重点是光刻胶的性能，但是有时候我们会忽略光刻胶的保存和寿命问题，其实这个问题应该在我们购买光刻胶前就应该提出并规划好。并且，在
关于光刻胶的关键参数介绍
与正光刻胶相比，电子束负光刻胶会形成相反的图案。基于聚合物的负型光刻胶会在聚合物链之间产生键或交联。未曝光的光刻胶在显影过程中溶解，而曝光的光刻胶
光刻胶分类与市场结构
光刻胶主要下游应用包括：显示屏制造、印刷威廉希尔官方网站
板生产、半导体制造等，其中显示屏是光刻胶最大的下游应用，占比30%。光刻胶在半导体制造应用占比24%，是第三达应用场景。
发表于 01-03 18:12
•1324次阅读
工商网监
评论