意法半导体和MACOM射频硅基氮化镓原型芯片制造成功

意法半导体和世界排名前列的电信、工业、国防和数据中心半导体解决方案供应商MACOM技术解决方案控股有限公司宣布，射频硅基氮化镓（RF GaN-on-Si）原型芯片制造成功。基于这一成果，意法半导体和MACOM将继续携手，深化合作。

数字社交媒体、视频通话和移动设备上的互联网应用正在增加对高性能5G/6G无线网络的需求，以提供足够的网络覆盖和服务质量。在新冠疫情期间，这种趋势愈演愈烈，因此，运营商正在推动5G/6G的推广，以应对这种指数级增长的数据消费趋势。

射频硅基氮化镓可为5G和6G移动基础设施应用带来巨大的发展潜力。初代射频功率放大器（PA）主要是采用存在已久的横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）射频功率技术，而GaN（氮化镓）可以给这些射频功率放大器带来更好的射频特性和更高的输出功率。此外，虽然GaN既可以在硅片上制造，也可以在碳化硅（SiC）晶圆上制造，但射频碳化硅基氮化镓（RF GaN-on-SiC）终究不是一种主流半导体制造工艺，且还要考虑和高功率应用争夺SiC晶圆，这些都可能会导致其成本更加昂贵。而意法半导体和MACOM正在开发的射频硅基氮化镓技术可以集成到标准半导体工业中，在实现具有竞争力的性能的同时，也有望带来巨大的规模经济效益。

意法半导体制造的射频硅基氮化镓原型晶圆和相关器件已达到成本和性能目标，完全能够与市场上现有的LDMOS和GaN-on-SiC技术展开有效竞争。现在，这些原型即将进入下一个重要阶段——认证测试和量产。意法半导体计划将在 2022年实现这一新的里程碑。为取得这一进展，意法半导体和MACOM已着手研究如何加大投入力度，以加快先进的射频硅基氮化镓产品上市。

意法半导体功率晶体管子产品部总经理兼执行副总裁 Edoardo Merli表示：

我们相信，这项技术的性能水平和工艺成熟度现已达到可以挑战现有的LDMOS和射频GaN-on-SiC的程度。我们可以为无线基础设施等大规模应用带来成本效益和供应链优势。射频硅基氮化镓产品的商业化是我们与MACOM合作的下一个重要目标，随着合作项目不断取得进展，我们期待着释放这一激动人心的技术的全部潜力。

MACOM 总裁兼首席执行官 Stephen G. Daly表示：

我们推进硅基氮化镓技术商业化和量产工作继续取得良好进展。我们与意法半导体的合作是我们射频功率战略的重要组成部分，相信我们可以在硅基氮化镓技术可以发挥优势的目标应用领域赢得市场份额。