日前,在台积电召开的会议上,有一名高管称台积电将于2024年引进ASML正在研发的最新的High-NA EUV光刻机。
会议中,该高管称:为了满足客户所需的相关基础设施的开发等,台积电将于2024年引进ASML最先进的High-NA EUV光刻机,并且推动台积电的创新能力。不过另一位高管补充道:台积电并不打算在2024年将High-NA EUV光刻机投入到生产工作中去,将首先与合作伙伴进行相关的研究。
据了解,High-NA EUV光刻机的High-NA代表的是高数值孔径,相比于现在的光刻技术,这种光刻机能够降低66%的尺寸,2nm及其之后的技术也都要靠High-NA EUV光刻机才能够实现,所以这种光刻机也被认为是延续摩尔定律的关键技术。
目前ASML还在制造High-NA EUV光刻机,首台将会在明年完工,不过正式投入使用估计要等到2025年了。
综合整理自 同花顺财经 澎湃新闻 IT之家
审核编辑 黄昊宇
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
台积电
+关注
关注
44文章
5632浏览量
166432 -
光刻机
+关注
关注
31文章
1150浏览量
47388 -
ASML
+关注
关注
7文章
718浏览量
41233
发布评论请先 登录
相关推荐
光刻机巨头ASML业绩暴雷,芯片迎来新一轮“寒流”?
电子发烧友网报道(文/黄山明)作为芯片制造过程中的核心设备,光刻机决定着芯片工艺的制程。尤其是EUV光刻机已经成为高端芯片(7nm及以下)芯片量产的关键,但目前EUV
今日看点丨 2011亿元!比亚迪单季营收首次超过特斯拉;三星将于2025年初引进High NA EUV光刻机
1. 三星将于2025 年初引进High NA EUV 光刻机,加快开发1nm 芯片 据报道,三星电子正准备在2025年初引入其首款Hi
发表于 10-31 10:56
•810次阅读
今日看点丨传三星HBM3获英伟达认证 将用于中国版H20芯片;OPPO 新开两块高密度硅材料单电芯电池
,ASML计划到2026年将其日本子公司的员工人数扩大到600人,比目前的员工人数增加50%。这一增长是由Rapidus、美光和台积电子公司JASM等在日本引入
发表于 07-24 10:51
•652次阅读
ASML拟于2030年推出Hyper-NA EUV光刻机,将芯片密度限制再缩小
ASML再度宣布新光刻机计划。据报道,ASML预计2030年推出的Hyper-NA极紫外光机(EUV
今日看点丨ASML今年将向台积电、三星和英特尔交付High-NA EUV;理想 L9 出事故司机质疑 LCC,产品经理回应
1. ASML 今年将向台积电、三星和英特尔交付High-NA EUV 根据报道,芯片制造设备商AS
发表于 06-06 11:09
•880次阅读
Rapidus对首代工艺中0.33NA EUV解决方案表示满意,未采用高NA EUV光刻机
在全球四大先进制程代工巨头(包括台积电、三星电子、英特尔以及Rapidus)中,只有英特尔明确表示将使用High NA EUV光刻机进行大规
买台积电都嫌贵的光刻机,大力推玻璃基板,英特尔代工的野心和危机
电子发烧友网报道(文/吴子鹏)此前,台积电高级副总裁张晓强在技术研讨会上表示,“ASML最新的高数值孔径极紫外光刻机(high-NA
台积电A16制程采用EUV光刻机,2026年下半年量产
据台湾业内人士透露,台积电并未为A16制程配备高数值孔径(High-NA)EUV光刻机,而选择利用现有的
台积电张晓强:ASML High-NA EUV成本效益是关键
据今年2月份报道,荷兰半导体制造设备巨头ASML公布了High-NA Twinscan EXE光刻机的售价,高达3.5亿欧元(约合27.16亿元人民币)。而现有EUV光刻机的价格则为1
ASML发货第二台High NA EUV光刻机,已成功印刷10nm线宽图案
ASML公司近日宣布发货了第二台High NA EUV光刻机,并且已成功印刷出10纳米线宽图案,这一重大突破标志着半导体制造领域的技术革新向前迈进了一大步。
ASML 首台新款 EUV 光刻机 Twinscan NXE:3800E 完成安装
3 月 13 日消息,光刻机制造商 ASML 宣布其首台新款 EUV 光刻机 Twinscan NXE:3800E 已完成安装,新机型将带来更高的生产效率。 ▲
佳能预计到2024年出货纳米压印光刻机
Takeishi向英国《金融时报》表示,公司计划于2024年开始出货其纳米压印光刻机FPA-1200NZ2C,并补充说芯片可以轻松以低成本制造。2023年11月,该公司表示该设备的价
评论