当然可以，最小化热回路PCB
对于功率转换器 参数 电阻 电容
开关模式功率转换器的热回路是指由高频(HF)电容和相邻功率FET形成的临界高频交流电流
图1显示了同步降压DC MOSFET 准确提取热回路的ESR和ESL，有助于预测开关性能并改进热回路设计。器件的封装和PCB走线均会影响回路的总寄生参数。本文主要关注PCB布局设计。有一些工具可帮助用户提取PCB寄生参数，例如Ansys Q3D、FastHenry/FastCap、StarRC等。Ansys Q3D之类的商用工具可提供准确的仿真 编程
图1.带热回路ESR和ESL的降压转换器
本部分基于ADI 公司 IN 位置的影响。LTM4638是一款集成式20 VIN 、15 A降压型转换器模块，采用小型6.25 mm × 6.25 mm × 5.02 mm BGA封装。它具有高功率密度、快速瞬态响应和高效率特性。模块内部集成了一个小的高频陶瓷CIN ，不过受限于模块封装尺寸，这还不够。图2至图4展示了演示板上的三种不同热回路，这些热回路使用了额外的外部CIN 。第一种是垂直热回路1（图2），其中CIN1 放置在μModule稳压器下方的底层。µModule VIN 和GND BGA引脚通过过孔直接连接到CIN1 。这些连接提供了演示板上的最短热回路路径。第二种热回路是垂直热回路2（图3），其中CIN2 仍放置在底层，但移至μModule稳压器的侧面区域。其结果是，与垂直热回路1相比，该热回路添加了额外的PCB走线，预计ESL和ESR更大。第三种热回路选项是水平热回路（图4），其中CIN3 放置在靠近μModule稳压器的顶层。µModule VIN 和GND引脚通过顶层铜连接到CIN3 ，而不经过过孔。然而，顶层的VIN 铜宽度受其他引脚排列的限制，导致回路阻抗高于垂直热回路1。表1比较了FastHenry提取的热回路 PCB ESR和ESL。正如预期的那样，垂直热回路1的PCB ESR和ESL最低。
图2.垂直热回路1：(a)俯视图和(b)侧视图
图3.垂直热回路2：(a)俯视图和(b)侧视图
图4.水平热回路：(a)俯视图和(b)侧视图
表1.使用FastHenry提取的不同热回路的PCB ESR和ESL
为了通过实验验证不同热回路的ESR和ESL，我们测试了12V转1V CCM运行时演示板的效率和VIN 交流纹波。理论上，ESR越低，则效率越高，而ESL越小，则VSW振铃频率越高，VIN 纹波幅度越低。图5a显示了实测效率。垂直热回路1的效率最高，因为其ESR最低。水平热回路和垂直热回路1之间的损耗差异也是基于提取的ESR计算的，这与图5b所示的测试结果一致。图5c中的VIN HF纹波波形是在CIN 上测试的。水平热回路具有更高的VIN 纹波幅度和更低的振铃频率，因此验证了其回路ESL高于垂直热回路1。另外，由于回路ESR更高，因此水平热回路的VIN 纹波衰减速度快于垂直热回路1。此外，较低的VIN 纹波降低了EMI，因而可以使用较小的EMI滤波器
图5.演示板测试结果：(a)效率，(b)水平回路与垂直回路1之间的损耗差异，(c)15A输出时M1导通期间的VIN 纹波
表2.对于不同器件形状和位置，使用FastHenry提取的热回路PCB ESR和ESL
热回路PCB ESR和ESL与MOSFET尺寸和位置的关系 对于分立式设计，功率FET的布置和封装尺寸对热回路ESR和ESL也有重大影响。本部分对使用功率FET M1和M2以及解耦电容C IN 的典型半桥热回路进行了建模和研究。图6比较了常见功率FET封装尺寸和放置位置。表2显示了每种情况下提取的ESR和ESL。 情况(a)至(c)展示了三种常见功率FET布置，其中采用5 mm × 6 mm MOSFET。热回路的物理长度决定了寄生阻抗。与情况(a)相比，情况(b)中的90°形状布置和情况(c)中的180°形状布置的回路路径更短，导致ESR降低60%，ESL降低80%。由于90°形状布置显示出了优势，我们基于情况(b)研究了更多情况，以进一步降低回路ESR和ESL。情况(d)将一个5 mm × 6 mm MOSFET替换为两个并联的3.3mm × 3.3mm MOSFET。由于MOSFET尺寸更小，回路长度进一步缩短，导致回路阻抗降低7%。情况(e)将一个接地层放置在热回路层下方，与情况(d)相比，热回路ESR和ESL进一步降低2％。原因是接地层上产生了涡流，其感应出相反的磁场，相当于降低了回路阻抗。情况(f)构建了另一个热回路层作为底层。如果将两个并联MOSFET对称布置在顶层和底层，并通过过孔连接，则由于并联阻抗，热回路PCB ESR和ESL的降低更加明显。因此，在顶层和底层上以对称90°形状或180°形状布置较小尺寸的器件，可以获得最低的PCB ESR和ESL。
为了通过实验验证MOSFET布置的影响，我们使用了AD IN 交流纹波。采用90°形状的MOSFET布置时，VIN 纹波的幅度更低，谐振频率更高，这就验证了热回路路径较短导致PCB ESL更小。相反，直线MOSFET布置的热回路更长，ESL更高，导致VIN 纹波幅度要高得多，并且谐振频率更低。根据Cho和Szokusha研究的EMI测试结果，较高的输入电压纹波还会导致EMI辐射更严重。
图6.热回路PCB模型：(a)5mm×6mm MOSFET，直线布置；(b)5mm×6mm MOSFET，以90°形状布置；(c)5mm×6mm MOSFET，以180°形状布置；(d)两个并联的3.3mm×3.3mm MOSFET，以90°形状布置；(e)两个并联的3.3mm×3.3mm MOSFET，以90°形状布置，带有接地层；(f)对称的3.3mm×3.3mm MOSFET，位于顶层和底层，以90°形状布置。
图7.(a) LT8390/DC2825A热回路，MOSFET以直线布置；(b) LT8392/DC2626A热回路，MOSFET以90°形状布置；(c) M1导通时的VIN 纹波波形。
图8.热回路PCB模型，(a) 5个GND过孔靠近CIN和M2布置；(b) 14个GND过孔布置在CIN和M2之间；(c) 基于(b)，GND上再布置6个过孔；(d) 基于(c)，GND区域上再布置9个过孔。
热回路中的过孔布局对回路ESR和ESL也有重要影响。图8对使用两层PCB结构和直线布置功率FET的热回路进行了建模。FET放置在顶层，第二层是接地层。CIN GND焊盘和M2源极焊盘之间的寄生阻抗Z2是热回路的一部分，作为示例进行研究。Z2是从FastHenry提取的。表3总结并比较了不同过孔布置的仿真ESR2 和ESL2 。
通常，添加更多过孔会降低PCB寄生阻抗。然而，ESR2和ESL2的降低程度与过孔数量并不是线性比例关系。靠近引脚焊盘的过孔，所导致的PCB ESR和ESL的降低最明显。因此，对于热回路布局设计，必须将几个关键过孔布置在靠近CIN和MOSFET焊盘的位置，以使高频回路阻抗最小。 表3.使用不同过孔布置时提取的热回路PCB ESR2 和ESL2
减小热回路的寄生参数有助于提高电源效率，降低电压振铃，并减少EMI。为了尽量减小PCB寄生参数，我们研究并比较了使用不同解耦电容位置、MOSFET尺寸和位置以及过孔布置的热回路布局设计。更短的热回路路径、更小尺寸的MOSFET、对称的90°形状和180°形状MOSFET布置、靠近关键元器件
原文标题：如何通过最小化热回路来优化开关电源布局?
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