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单片机I/O口驱动选用三极管的原因

嵌入式应用开发 来源:嵌入式应用开发 作者:嵌入式应用开发 2022-12-03 14:27 次阅读

单片机io口的驱动选用三极管的原因:

1.单片机的IO口,有一定的带负载能力。但电流很小,驱动能力有限,一般在10-20mA以内。所以一般不采用单片机直接驱动负载这种方式。

2.至于单片机为什么一般选用三极管而不是MOS管?需要了解三极管和MOS管的区别,如下:

①三极管是电流控制型,三极管基极驱动电压只要高于Ube(一般是0.7V)就能导通。

②MOS管是电压控制型,驱动电压必须高于阈值电压Vgs(TH)才能正常导通,不同MOS管的阈值电压是不一样的,一般为3-5V左右,饱和驱动电压可在6-8V。

poYBAGOJ-SWAJolmAAC62xJQYGU215.png

处理器一般讲究低功耗,供电电压也越来越低,一般单片机供电为3.3V,所以它的I/O最高电压也就是3.3V。
①直接驱动三极管

3.3V电压肯定是大于Ube的,所以直接在基极串联一个合适的电阻,让三极管工作在饱和区就可以了。Ib=(VO-0.7V)/R2。

②驱动MOS管

通过前面也了解到,MOS管的饱和电压>3.3V,如果用3.3V来驱动的话,很可能MOS管根本就打不开,或者处于半导通状态。

在半导通状态下,管子的内阻很大,驱动小电流负载可以这么用。但是大电流负载就不行了,内阻大,管子的功耗大,MOS管很容易就烧坏了。

所以,一般选择I/O口直接控制三极管,然后再控制MOS管。

pYYBAGOJ-T6AfwbkAADgzFmjnsw109.png

当I/O为高电平时,三极管导通,MOS管栅极被拉低,负载RL不工作。

当I/O为低电平时,三极管不导通,MOS管通过电阻R3,R4分压,为栅极提供合适的阈值电压,MOS管导通,负载RL正常工作。

审核编辑:汤梓红

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