用于反向连接DS2784高边nFET保护器的保护威廉希尔官方网站

DS2784高边nFET保护器没有用于反向充电器连接的保护威廉希尔官方网站 。因此，如果充电器以反极性连接，则直流FET在故障条件下可能会保持导通状态。本文介绍可用于在充电器连接反接时关闭 DC FET 的外部威廉希尔官方网站 。

DS2784没有防止与充电器反向连接的威廉希尔官方网站 。如果充电器连接反接，DC FET 可能会在故障条件下保持导通状态，从而完全耗尽电池电量。由于当前的工艺限制，到目前为止，还没有针对此问题的内部解决方案。本文详细介绍了可用于确保 DC FET 在充电器连接反接时关闭的外部威廉希尔官方网站 。

DS2784采用高边、n沟道FET（nFET）在故障条件下断开电池连接。如果充电器以反极性连接，DS2784在PK+上为-5V;这会在直流 FET 的源上放置 -5V。当保护器试图关断时，它将栅极驱动至0V。这在DC FET上留下一个+5V栅源电压，从而将其导通。

此问题的解决方案是在充电器连接反接的情况下，使用共漏极 nFET 将 DC FET 的栅极与源极短路。这些 FET 配置为在 -5V PK+ 至 PK- 时导通;这实质上使 DC FET 的栅极与源极短路（图 1），从而关闭 DC FET。

图1.共漏极 nFET 使 DC FET 的栅极短路。

必须使用共漏极nFET，以使DS2784在正常工作条件下正常工作。直流引脚具有一个弱驱动器，其最差情况下电流为1μA。与直流栅极路径的任何连接都必须具有最小的泄漏，否则它将使电荷泵崩溃，从而导致保护FET关闭。同样，PK+路径中的泄漏会导致IC永远无法从过流状态中恢复，除非将其连接到充电器。IC寻找PK+被拉高，以检测过流情况的消除。这是通过PLS上的一个小电流源实现的，该电流的最差情况电流为10μA。

审核编辑：郭婷