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深入了解数字电位计规范和架构可增强交流性能

星星科技指导员 来源:ADI 作者:Miguel Usach Merino 2023-01-29 14:00 次阅读

作者:Miguel Usach Merino

数字电位计 (digiPOT) 提供了一种方便的方式来调整传感器电源或其他需要某种类型校准的设备的交流或直流电压或电流输出,时序、频率、对比度、亮度、增益和失调调整只是其中的一小部分。数字设置几乎避免了与机械电位计相关的所有问题,例如物理尺寸、机械磨损、游标污染、电阻漂移以及对振动、温度和湿度的敏感性,并消除了由于需要螺丝刀访问而导致的布局不灵活性。

digiPOT 可用于两种不同的模式:电位计或变阻器。在电位计模式下,如图1所示,有三个端子可用;信号连接在端子 A 和 B 上,而端子 W(如游标)提供衰减的输出电压。当数字比率控制输入全为零时,游标通常连接到端子B。

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图1.电位计模式。

当游标硬连线到任一端时,电位计变成一个简单的可变电阻或变阻器,如图2所示。变阻器模式允许更小的外形尺寸,因为需要的外部引脚更少。一些数字POT只能作为变阻器使用。

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图2.变阻器模式。

对 digiPOT 电阻端子上出现的电流或电压的极性没有限制,但交流信号的幅度不能超过电源轨 (VDD和 V党卫军)—当器件在变阻器模式下工作时,应限制最大电流或电流密度,尤其是在较低电阻设置下。

典型应用

信号衰减是电位计模式固有的,因为器件基本上是一个分压器。输出信号定义为:V外= V在×(R代数转换器/R罐),其中R罐是 digiPOT 的标称端到端电阻,并且R代数转换器是W和输入信号的参考引脚(通常是端子B)之间的数字选择电阻,如图3所示。

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图3.信号衰减器。

信号放大需要一个有源元件,通常是反相或同相放大器。可以使用电位计或变阻器模式,并具有适当的增益公式。

图4所示为一个同相放大器,该器件用作电位计,通过反馈调节增益。由于输出的分数反馈,R嗖嗖/(R工 务 局+ R嗖嗖),必须等于输入,理想化增益为

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图4.电位计模式下的同相放大器。

该威廉希尔官方网站 的增益与R嗖嗖,迅速增加为R嗖嗖接近零,定义双曲传递函数。要限制最大增益,请插入一个串联电阻R嗖嗖(以及增益方程的分母)。

如果需要线性增益关系,变阻器模式可与固定外部电阻结合使用,如图5所示;增益现在定义为:

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图5.变阻器模式下的同相放大器。

为获得最佳性能,请将较低电容端子(较新器件中的W引脚)连接到运算放大器输入。

数字POT在信号放大方面的优势

图4和图5所示威廉希尔官方网站 具有高输入阻抗和低输出阻抗,可以处理单极性和双极性信号。digiPOT可用于游标操作,通过固定外部电阻在更小的范围内提供更高的分辨率,并可用于带或不带信号反转的运算放大器威廉希尔官方网站 。此外,它们还具有较低的温度系数——电位计模式下通常为 5 ppm/°C,变阻器模式下通常为 35 ppm/°C。

用于信号放大的 digiPOT 的局限性

处理交流信号时,digiPOT 性能受到带宽和失真的限制。带宽是可以通过 digiPOT 的最大频率,由于寄生分量,衰减小于 3 dB。总谐波失真(THD)——这里定义为接下来四个谐波的均方根和与输出基波值之比——是信号通过器件时衰减的量度。这些规范隐含的性能限制是由内部 digiPOT 架构引起的。分析将有助于充分了解这些规格并减少其负面影响。

内部架构已从经典串行电阻阵列(如图6a所示)演变为分段式架构(如图6b所示)。主要改进是减少了所需的内部开关数量。在第一种情况下,串行拓扑,交换机的数量为N = 2n,其中 n 是以位为单位的分辨率。n = 10 时,需要 1024 个开关。

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图6.a) 传统架构。b) 分段架构。

专有(专利)分段架构使用级联连接,最大限度地减少交换机总数。图 6b 的示例显示了一个两段架构,由两种类型的模块组成:左侧为 MSB,右侧为 LSB。

左边的上块和下块是粗位(MSB段)的开关串。右边的块是一串用于精细位(LSB段)的开关。MSB 开关建立与 R 的粗略近似值一个/RB率。由于LSB串的总电阻等于MSB串中的单个电阻元件,因此LSB开关在主串的任何点建立比率的精细部分。A 和 B MSB 交换机采用互补编码。

分段架构中的交换机数量为:

N = 2m + 1+ 2n – m,

其中 n 是 MSB 字中的总位数,m 是分辨率的位数。例如,如果 n = 10 且 m = 5,则需要 96 个开关。

与传统字符串相比,分段方案需要的开关更少:

差值 = 2n– (2m+ 1 + 2n – m)

在此示例中,节省的费用将是

1024 – 96 = 928!

在这两种架构中,开关负责在不同的电阻值之间进行选择,因此了解模拟开关中的交流误差源非常重要。这些 CMOS(互补金属氧化物半导体)开关由并联的 P 沟道和 N 沟道 MOSFET 组成。该基本双边开关保持相当恒定的电阻(R上) 表示最高至全电源轨的信号。

带宽

图7显示了影响CMOS开关交流性能的寄生元件。

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图7.CMOS 交换机型号。

CDS= 漏源电容;CD= 漏极-栅极 + 漏极-大容量电容;CS= 源极门 + 源极大容量电容。

传递关系在下面的等式中定义,其中应用了这些假设:

源阻抗为 0 Ω

无外部负载贡献

没有来自的贡献CDS

R低音水平 << RMSB

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其中:

传递方程具有许多因子,并且在某种程度上依赖于代码,因此使用以下进一步的假设来简化方程

这CDS贡献在传递方程中增加了一个零,但由于这通常发生在比极点高得多的频率下,因此RC低通滤波器是主要响应。简化方程的一个很好的近似值是:

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带宽 (BW) 定义为:

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哪里CL是负载电容。

BW 依赖于代码,最坏的情况是当代码处于半刻度时,数字值为 29AD5292和2的= 5127AD5291为128(见附录)。图8显示了低通滤波效应与各种标称电阻和负载电容值的代码函数关系。

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图8.各种电阻值的最大带宽与负载电容的关系。

应考虑PCB板的寄生走线电容,否则最大带宽将低于预期;轨道电容可以直接计算为

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例如,假设FR4板材料具有两个信号层和电源/接地层,则εR= 4,轨道长度 = 3 厘米,宽度 = 1.2 毫米,层间距离 = 0.3 毫米;总轨道电容约为4 pF。

失真

THD用于量化器件作为衰减器的非线性度。这种非线性是由于内部开关及其R上随电压变化。幅度失真的夸大示例如图9所示。

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图9.失真。

这R上与单个内部无源电阻的电阻相比,开关的电阻非常小,其在整个信号范围内的变化甚至更小。图10显示了一个典型的导通电阻特性。

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图 10.CMOS电阻。

电阻曲线取决于电源电压轨;内部开关具有最低R上在最大电源电压下的变化。如果电源电压降低,R上变化,因此非线性增加。图 11 比较了 RON低压 digiPOT 的两个电源电平变化。

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图 11.开关电阻变化与电源电压的关系

THD取决于多个因素,因此难以量化,但假设R的变化为10%上,以下等式可用作粗略近似:

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作为一般规则,标称数字POT电阻越高(R罐),THD 越好,因为分母越大。

权衡取舍

失真和带宽都随着增加而降低R罐,因此不可能在不惩罚另一个规范的情况下改进一个规范。因此,威廉希尔官方网站 设计人员必须选择合适的平衡点。在器件设计层面也是如此,因为IC设计人员必须平衡设计公式中的参数

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偏 置

从实用的角度来看,必须充分利用这些规格。当使用digiPOT通过容性耦合衰减交流信号时,如果信号偏置到电源的中间值,则可实现最低的失真。这意味着开关正在处理电阻特性的最线性部分。

一种方法是使用双电源,简单地将电位计接地至电源公共电源。然后,信号可以具有正负摆动。另一种方法是,如果需要单电源,或者特定的digiPOT不支持双电源,则添加VDD/2交流信号。必须在两个电阻端子上增加该失调电压,如图12所示。

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图 12.单电源交流信号调理。

如果需要信号放大器,则采用双电源的反相放大器(如图13所示)优于同相放大器,原因有二:

提供更好的THD性能,因为反相引脚上的虚拟地会将开关电阻集中在电压范围的中间。

由于反相引脚处于虚拟地,游标电容CDLSB,几乎被取消以获得带宽的小幅增加(但必须注意威廉希尔官方网站 稳定性)。

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图 13.使用带有反相放大器的 digiPOT 进行可调放大。

审核编辑:郭婷

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