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常用的电压反接保护威廉希尔官方网站 分享

CHANBAEK 来源:电子制作站 作者:电子制作站 2023-03-08 15:44 次阅读

电压反接保护(Reverse Voltage Protect, RVP)威廉希尔官方网站 主要用在需要直流电压供电电源的输入端,用于防止输入电压极性反接而造成威廉希尔官方网站 系统元器件的损坏,甚至事故!

大多数威廉希尔官方网站 系统都需要极性正确的直流电压进行供电才能够正常地工作,如果电压极性一旦反接,则很有可能损坏内部威廉希尔官方网站 元器件,因为很多元器件不能够承受过大的反向电压。

比如,铝电解电容都是有极性的,而它可以承受的最大反向电压很小,如下图所示:(来自VISHAY 铝电解电容038 RSU数据手册)

pYYBAGQESFaAHvM5AABm2xuWeJk386.png

铝电解电容强行施加反向电压,将出现电流大,发热等现象,严重者可能发生爆炸(Boom)

大多数集成芯片的反向耐压也不高,我们看看单片机的数据手册,如下图所示:(来自STM32单片机数据手册)

poYBAGQESFeAe6r9AAEpTx2w2hI897.png

因此,对于大多数威廉希尔官方网站 系统而言,特别是内部有较昂贵的元器件时,或价值较高的威廉希尔官方网站 系统,添加一个电压极性保护威廉希尔官方网站 还是必要的,下面我们介绍一些常用的RVP威廉希尔官方网站 。

最简单的RVP威廉希尔官方网站 就是:使用一个二极管串联在输入直流电源线路上。其优点就是简单,缺点是二极管有一定的压降,不适合输入电压比较低的应用场合,而且电流很大时损耗也很大(发热),另外,输入电压反接时,由于二极管是截止的,威廉希尔官方网站 系统是不工作的,如下图所示:

pYYBAGQESFiAM-0dAACu6VXpo1E674.png

如果需要在极性反接的情况下,威廉希尔官方网站 系统也能够正常工作,可以使用全桥桥堆连接方法,如下图所示:

poYBAGQESFiAKpQuAACkNxBMNgE764.png

它的缺点是损耗比单个二极管RVP威廉希尔官方网站 更大(两个二极管压降损耗),但带来的好处是无论输入电压是正向或反向,威廉希尔官方网站 系统都能够正常工作。

有些厂家为了简化保护威廉希尔官方网站 并降低二极管的损耗,直接在威廉希尔官方网站 系统的输入直流供电电源两端反向并联一个二极管,如下图所示:

pYYBAGQESFmAWGBYAAC1Pu0_4jY636.png

这样当外接电源反接时,二极管就被击穿了,从而保护威廉希尔官方网站 模块中更为贵重的元器件,而二极管的成本还不到一毛钱,维修的时候直接更换一个就可以,典型的“丢卒保车”的做法;

当然,你也可以在二极管前面再串一个熔断保险丝,如下图所示:

poYBAGQESFmAKWUYAADdSw7Up4c292.png

当输入电压极性反向时,保险丝将会熔断,你只需要换一个保险丝即可,甚至都不需要拿铬铁来进行维修。

对保护威廉希尔官方网站 要求更高的场合,我们还可以使用如下图所示的增强型NMOS管保护威廉希尔官方网站 :

pYYBAGQESFqAOxlQAADDxW-Ru6Q322.png

当输入电压极性正确时,NMOS的寄生二极管将先一步导通,这样NMOS管的栅-源电压VGS约为输入电压(小一个二极管压降),如下图所示:

pYYBAGQESFqATPZgAADqWgFcZuM410.png

此时二极管是有一定压降的(有损耗),但VGS使NMOS管导通后将寄生二极管短路,此时电流将从NMOS管沟道流过,如下图所示:

poYBAGQESFuAMeGbAADgLG5ygos298.png

现在的NMOS管导通电阻可以做到毫欧姆级别,因此损耗将非常低,

而当电源极性反接时,寄生二极管因反向偏置而截止,由于栅-源电压VGS不满足条件,NMOS管也是截止的,威廉希尔官方网站 系统将不予工作,如下图所示:

pYYBAGQESFuATI30AADTs1IA80k263.png

上述威廉希尔官方网站 仅适合输入电压不高于NMOS管栅-源电压(典型值不超过12V)的场合,否则将可能损坏MOS管,这时我们需要添加一些附属威廉希尔官方网站 ,比如电阻分压威廉希尔官方网站 ,如下图所示:

poYBAGQESFyAZtRKAADUPymeswk412.png

当然,如果你担心输入电压波动太大(从而分压过大),而且荷包也足够饱满的话,也可以加个稳压二极管,如下图所示:

pYYBAGQESFyANaWPAADRBFIOYLw965.png

用PMOS管也可以实现这个功能,如下图所示:

poYBAGQESF2ABhy5AAC-lpGgRoU940.png

它的分析原理与NMOS管完全一致,针对输入电压大于PMOS栅-源电压的场合,其附属威廉希尔官方网站 与PMOS管也是一样的,本文不再赘述。

当然,NMOS管的导通电阻比PMOS管小(参考文章“场效应管(4)PMOS与NMOS沟道导通电阻”),在适当的场合可以考虑这一点。

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