元件温度计算方法：根据周围温度

结点温度的计算方法1：根据周围温度（基本）

结点温度（或通道温度）可根据周围温度和功耗计算。根据热电阻的思考方法，

Tj=Ta+Rth（j-a）×P

Ta：周围温度（测量的房间室温）Rth（j-a）： 结 - 大气之间的热阻P：

功耗**Rth（j-a）：结点-环境间的热电阻根据贴装的威廉希尔官方网站 板的不同而不同。

向敝公司标准的威廉希尔官方网站 板上贴装时的值表示为 “代表性封装的电阻值” 。

Rth（j-a）的值根据各个晶体管的不同而不同，但如果封装相同，可以认为该值几乎是很接近的值。

**功耗不固定，时间变化时按照平均功耗近似计算。

（平均功耗的求法请参照 “晶体管可否使用的判定方法” ）

下图显示了Rth（j-a）是250ºC/W、周围温度是25ºC时的功耗和结点温度的关系。

结点温度和功耗成比例上升。这时的比例常数是Rth（j-a）。Rth（j-a）是250ºC/W，

所以功耗每上升0.1W结点温度上升25ºC。

功耗是0.5W时结点温度是150ºC，所以这个例子中功耗不能超过0.5W。

另外，Rth（j-a）同样是250ºC/W，要考虑周围温度的变化。

即，即使施加相同的功率，周围温度上升时结点温度也相应上升，所以能够施加的功率变小。

不仅热电阻，周围温度也会影响最大功耗。周围温度150°C时能够施加的功率为零，所以

100% ÷ （150°C-25°C）＝0.8%/°C

可以得知上述比例下的最大功耗变小。

下面的功率降低曲线表示出了该关系。

功率降低曲线的降低率是用百分比表示的，所以可适用于所有封装。

例如，MPT3封装25ºC时的最大施加功率是0.5W，0.8%/ºC的比例下可施加的功率变小，

50ºC时变为原来的80%（降低20%）即0.4W，100ºC时变为原来的40%（降低60%）即0.2W。