MRAM芯片应用于PLC产品上的特性

MRAM是一种新型的非易失性存储器技术，与传统的存储器技术相比，MRAM 具有更快的读写速度、更低的功耗、更高的可靠性和更长的寿命。已经被广泛应用于汽车电子、工业自动化、智能电气电表、物联网等领域。在 PLC (Programmable Logic Controller) 中，MRAM 可以用于存储程序、数据、寄存器和状态信息等。此外，MRAM 还可以提高 PLC 的运行效率，减少故障率，并降低能耗。由于 PLC 被广泛应用于工业控制领域，因此可靠性和耐久性非常重要。MRAM 的非易失性和高可靠性使它成为一种非常适合用于 PLC 的存储器技术。

高可靠性

在PLC产品中，稳定性和可靠性是非常重要的特性。由于MRAM芯片不需要电源来保持存储，因此具有非常高的可靠性。即使在突然断电或其他异常情况下，MRAM芯片也能够保持数据的完整性，从而有效地防止数据丢失和系统崩溃。

快速读写

在PLC产品中，需要快速地读取和写入数据以控制机器和设备。相比传统存储器技术，MRAM芯片具有更快的读写速度，可以更快地响应控制信号，提高生产效率和工作效率。

与其他技术相比，韩国NETSOL品牌的 MRAM技术具有以下优势:

更快的写入速度：MRAM芯片比FRAM芯片具有更快的写入速度。MRAM芯片可以实现单个字节的写入，而FRAM芯片则需要写入整个数据块。这使得MRAM芯片在存储大量数据时更加高效。

更低的功耗：MRAM芯片比FRAM芯片具有更低的功耗。MRAM芯片的写入操作只需要很少的电流，而FRAM芯片则需要更多的电流。这使得MRAM芯片在移动设备和其他低功耗设备中更加适用。

更高的可靠性：MRAM芯片比FRAM芯片具有更高的可靠性。MRAM芯片具有更长的数据保存时间和更大的存储容量，这使得它们更适用于长期存储。

更大的存储容量：MRAM芯片比FRAM芯片具有更大的存储容量。MRAM芯片的存储密度比FRAM芯片高，这使得它们可以存储更多的数据。

MRAM使用OTA (Over The Air)比NOR更快的写入速度，不需要额外的RAM。MRAM更长的写入耐力意味着它比NOR持续时间更长。MRAM提供1字节访问，以有效利用存储区域。例如，32Mb的NOR将被16Mb的MRAM取代。

MRAM无需备用电池、电池插座、超级电容或Vcc监控威廉希尔官方网站 。流线型的设计和简单的SMT工艺导致质量成本远远低于SRAM。MRAM的电池保留时间为10年，而SRAM的电池寿命为7年。

MRAM不需要超级电容器，节省威廉希尔官方网站 板面积，减少元件。MRAM可快速开机可快速系统恢复。

MRAM芯片是一种非挥发性存储器，可以永久保存数据，即使断电也不会丢失数据。而DRAM芯片是一种挥发性存储器，需要电源持续供电才能保持数据长电池寿命，从而减少维护成本。

数据保存时间长

MRAM芯片的存储介质是磁性材料，与EEPROM和Flash相比，它的数据保存时间更长，更不易受到外界干扰。

存储容量大

MRAM芯片可以实现大容量存储，与传统存储器件相比，可以实现更高的集成度和更小的尺寸。 由于MRAM芯片的存储过程不需要耗费能量，因此MRAM芯片具有低功耗的特点。这不仅有助于减少系统的整体功耗，还有助于延长电池寿命，从而减少维护成本。

韩国Netsol MRAM存储芯片，凭借高续航、快速访问和长保留期特性，一颗MRAM芯片替换“工作内存”(典型的SRAM或DRAM)和“代码存储”(典型的NOR、Flash或E2PROM）二合一的解决方案。使其在工业控制领域中越来越受到欢迎。随着MRAM技术的不断发展和完善，它在PLC产品中的应用将有望得到更广泛的推广和应用。

选型列表

由于STT-MRAM的非易失性、几乎无限的持久性和快速写入特性，NETSOL串行/并行MRAM产品非常适合必须快速频繁地存储和检索数据和程序的应用程序。它们适用于工业设计中的代码存储、数据记录、备份存储器和工作存储器，可以取代Flash、FeRAM或nvSRAM，具有相同的功能和非易失性。
 

# 串行STT-MRAM

1Mb, 2Mb, 4Mb, 8Mb, 16Mb, 32Mb密度

电源:1.8V (1.71V ~ 1.98V)或3.3V (2.7V ~ 3.6V)

单，双和四SPI与SDR和DDR串行接口兼容

数据保留:10年

读取耐力：无限

写入耐力:1014

不需要外部ECC

封装规格: 8WSON, 8SOP

 

容量	型号	电压(V)
1M bit	S3A1004V0M	2.70~3.60
	S3A1004R0M	1.71~1.98
1M bit	S3A2004V0M	2.70~3.60
	S3A2004R0M	1.71~1.98
4M bit	S3A4004V0M	2.70~3.60
	S3A4004R0M	1.71~1.98
8M bit	S3A8004V0M	2.70~3.60
	S3A8004R0M	1.71~1.98
16M bit	S3A1604V0M	2.70~3.60
	S3A1604R0M	1.71~1.98
32M bit	S3A3204V0M	2.70~3.60
	S3A3204R0M	1.71~1.98

 

# 并行STT-MRAM

1Mb, 2Mb, 4Mb, 8Mb, 16Mb, 32Mb, 64Mb密度

电源:1.8V (1.71V ~ 1.98V)或3.3V (2.7V ~ 3.6V)

并行异步接口x16/x8 I/O

高性能页面读写功能

数据保留:10年

读取耐力：无限

写入耐力:1014

不需要外部ECC

封装规格: 48FBGA, 44TSOP2, 54TSOP2

审核编辑：汤梓红