R课堂 | SiC MOSFET：栅极－源极电压的浪涌抑制方法－总结

本文是“SiC MOSFET：栅极－源极电压的浪涌抑制方法”系列文章的总结篇。介绍SiC MOSFET的栅极－源极电压产生的浪涌、浪涌抑制威廉希尔官方网站 、正电压浪涌对策、负电压浪涌对策和浪涌抑制威廉希尔官方网站 的威廉希尔官方网站 板布局注意事项。

桥式结构SiC MOSFET的栅极信号，由于工作时MOSFET之间的动作相互关联，因此导致SiC MOSFET的栅－源电压中会产生意外的电压浪涌。这种浪涌的抑制方法除了增加抑制威廉希尔官方网站 外，威廉希尔官方网站 板的版图布局也很重要。希望您根据具体情况，参考本系列文章中介绍的抑制方法，采取适合的措施。

最后，作为总结，在下面汇总了每篇相关文章的链接和关键重点。

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什么是栅极－源极电压产生的浪涌？

本文的关键要点

・近年来，SiC MOSFET被越来越多地用于电源和电力线路中的开关应用，其工作速度非常快，快到已经无法忽略由于其自身封装电感和外围威廉希尔官方网站 布线电感带来的影响。

・因此，特别是可能会在栅极－源极间电压中产生意外的浪涌，需要对此采取对策。

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浪涌抑制威廉希尔官方网站

本文的关键要点

・在开关侧和非开关侧均会出现栅极－源极电压（VGS）的正浪涌，但是尤其会造成问题的是SiC功率元器件LS导通时在非开关侧（HS）出现的正浪涌。

・由于应用SiC功率元器件时，基本都需要包括其他浪涌在内的浪涌抑制对策，因此需要增加浪涌抑制威廉希尔官方网站 。

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正电压浪涌对策

本文的关键要点

・通过采取措施防止栅极－源极间电压的正电压浪涌，来防止LS导通时的HS误导通。

・具体方法取决于各威廉希尔官方网站 中所示的对策威廉希尔官方网站 的负载。

・如果栅极驱动IC没有控制功能，则很难通过米勒钳位进行抑制。

・作为米勒钳位的替代方案，可以通过增加误导通抑制电容器来处理。

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负电压浪涌对策

本文的关键要点

・通过采取措施防止栅极－源极间电压的负电压浪涌，来防止LS导通时的HS误导通。

・具体方法取决于各威廉希尔官方网站 中所示的对策威廉希尔官方网站 的负载。

・如果栅极驱动IC没有控制功能，则很难通过米勒钳位进行抑制。

・作为米勒钳位的代替方案，通过结合使用钳位肖特基势垒二极管和误导通抑制电容器，与正浪涌之间取得平衡，从而达到优化的目的。

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浪涌抑制威廉希尔官方网站 的威廉希尔官方网站 板布局注意事项

本文的关键要点

・浪涌抑制威廉希尔官方网站 的威廉希尔官方网站 板布局要考虑大电流高速开关的情况。

・尽量将寄生电容、电感、电阻控制得更低。

・尽量减少回流线环路，以便有效地控制EMI（电磁干扰）。