电子说
随着时代和科技的发展,人们的生活水平也在不断的提升,而工业领域针对传统的封装材料,耐高温的需求也随之扩大,从而传统的封装材料会失效或降解,传统的封装材料一旦面临高温环境,传统的封装材料会失效或降解,且热膨胀不匹配导致的高热应力会导致永久的结构层面的机械故障。AlN的熔点高达2500℃,可用作高温耐热材料。同时,氮化铝的热膨胀系数(CTE,4.5×10–6/℃)相对较低,接近于Si及SiC,能够提供更好的热可靠性。因此,基于氮化铝陶瓷芯片级封装的超高温(500℃以上)微电子器件成为有效方案。
氮化铝因出众的热导性及与硅相匹配的热膨胀系数,成为电子领域备受关注的 材料。氮化铝是一种六方晶系钎锌矿型结构形态的共价键化合物,其具有一系列优 良特性,包括优良的热导性、可靠的电绝缘性、低的介电常数和介电损耗、无毒以及 与硅相匹配的热膨胀系数等。它既是新一代散热基板和电子器件封装的理想材料。东超新材料球形氮化铝规格2微米到150微米范围,纯度95%,专用导热材料中添加增加导热率。
多晶AIN热导率达260W/(m.k),比氧化铝高5-8倍,所以耐热冲击好,能耐2200℃的高温。在导热材料如高导热硅胶垫片、高导热灌封胶、高导热硅脂等等,热界面材料中应用较多,在导热材料中基础材料硅油是不导热的,通过添加导热填料球形氧化铝、球形氮化铝高导热填料搭配添加到硅油里起到高导热、散热等功能。
氮化铝也可以应用在陶瓷,制作成是一种高性能陶瓷材料,由氮化铝粉末经过高温烧结而成。它具有极高的硬度、耐磨性、耐腐蚀性和高温稳定性,是一种非常优秀的工程材料。
审核编辑:汤梓红
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