Transphorm宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始规格书。TP120H070WS功率管是迄今为止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半导体,领先同类产品。 该器件已准备就绪,可将Transphorm的创新常关型氮化镓平台应用于新一代汽车和三相电力系统。 这款产品的发布展现Transphorm有能力支持未来的汽车电力系统、以及已普遍用于工业、数据通信和可再生能源市场的三相电力系统。与替代技术相比,这些应用可受益于1200伏氮化镓器件更高的功率密度及更优异的可靠性、同等或更优越的性能,以及更为合理的成本。 Transphorm近期已验证了氮化镓器件在100kHz开关频率的5kW 900伏降压转换器中更高的性能。1200伏氮化镓器件实现了98.7%的效率,超过了具有类似额定值的量产SiC MOSFET。 产品优势 创新的1200伏技术也展现了Transphorm在氮化镓功率转换方面的领先地位。垂直整合模式、自有外延片生产能力、以及专利工艺技术,再加上数十年的工程专业知识,使该公司能够将性能最优异的氮化镓器件组合推向市场,并且还在以下四个方面具有重大差异化优势:可制造性、易驱动性、易设计和可靠性。 在5月9日至11日的PCIM2023展会上, Transphorm 也发表了关于1200伏器件的信息。 初步器件规格及样品 Transphorm的1200伏技术以经过验证的工艺和成熟的技术为基础,满足了客户在可靠性方面的要求。GaN-on-Sapphire工艺目前在LED市场上已批量生产。此外,1200伏技术充分利用了Transphorm当前器件组合中使用的性能优越、常关型的氮化镓平台。 TP120H070WS主要规格包括:
内部阻值70毫欧
常关型
高效双向导通
最大值±20V栅极电压
4伏的栅极驱动低扰度
零QRR反向恢复电荷
3引脚TO-247封装
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原文标题:Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型
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