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R课堂 | 缓冲威廉希尔官方网站 的种类和选择

罗姆半导体集团 来源:未知 2023-08-23 12:05 次阅读

关键要点

要想使缓冲威廉希尔官方网站 充分发挥出其效果,需要尽可能靠近开关器件进行安装。缓冲威廉希尔官方网站 包括由R、L、C等无源元件组成的威廉希尔官方网站 和由半导体元器件组成的有源威廉希尔官方网站 。

本文介绍了无需控制而且具有成本优势的威廉希尔官方网站 方式——C缓冲威廉希尔官方网站 、RC缓冲威廉希尔官方网站 、放电型RCD缓冲威廉希尔官方网站 和非放电型RCD缓冲威廉希尔官方网站 。

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SiC功率元器件基础

本文进入本系列文章的第二个主题:“缓冲威廉希尔官方网站 的种类和选择”。

  • 漏极和源极之间产生的浪涌

  • 缓冲威廉希尔官方网站 的种类和选择

  • C缓冲威廉希尔官方网站 的设计

  • RC缓冲威廉希尔官方网站 的设计

  • 放电型RCD缓冲威廉希尔官方网站 的设计

  • 非放电型RCD缓冲威廉希尔官方网站 的设计

  • 封装引起的浪涌差异

SiC MOSFET:缓冲威廉希尔官方网站 的种类和选择

缓冲威廉希尔官方网站 包括由电阻器、线圈、电容器等无源元件组成的威廉希尔官方网站 ,以及由半导体元器件组成的有源威廉希尔官方网站 (*1)。在这里将为您介绍无需控制且具有成本优势的威廉希尔官方网站 方式。

图1为缓冲威廉希尔官方网站 示例。四个威廉希尔官方网站 分别是:在桥式结构的SiC MOSFET上下方一并连接电容器CSNB的(a)C缓冲威廉希尔官方网站 、在各开关器件的漏极和源极之间连接电阻RSNB和电容器CSNB的(b)RC缓冲威廉希尔官方网站 、在RC缓冲威廉希尔官方网站 中添加了二极管的(c)放电型RCD缓冲威廉希尔官方网站 、以及将RDC缓冲威廉希尔官方网站 的放威廉希尔官方网站 径改变后的(d)非放电型RCD缓冲威廉希尔官方网站 。

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图一:缓冲威廉希尔官方网站 的种类

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为了使这些缓冲威廉希尔官方网站 充分发挥其效用,必须将它们尽可能地靠近开关器件进行安装。

(a)C缓冲威廉希尔官方网站 的元器件数量较少,但由于必须配置在桥式结构的上下之间,因此存在布线长度较长的缺点,这种威廉希尔官方网站 方式多用于由分立结构二合一组成的模块中。

(b)RC缓冲威廉希尔官方网站 可以配置在各开关器件的附近,但每当开关器件导通时,存储在CSNB中的能量必须由RSNB全部消耗掉(在桥式结构的情况下,同步侧存储在CSNB中的能量在死区时间内被回收)。因此,在这种方式中,当开关频率提高时,RSNB消耗的功率甚至达到几瓦的程度,而CSNB不能过大,浪涌抑制效果往往有限。另外,RSNB限制了浪涌吸收能力,这也导致浪涌抑制效果受限。

对于(c)放电型RCD缓冲威廉希尔官方网站 而言,RSNB消耗的功率与(b)RC缓冲威廉希尔官方网站 相同,但由于浪涌仅经由二极管来吸收,因此其浪涌吸收效果优于(b),更具实用性。但是,需要注意所用二极管的反向恢复特性,另外还要考虑到吸收浪涌时的电流变化较大,需要尽量减小缓冲威廉希尔官方网站 的布线电感等。此外,即使将RSNB与CSNB并联连接,它们在工作上也是相同的。

至于(d)非放电型RCD缓冲威廉希尔官方网站 ,RSNB只消耗CSNB所吸收的浪涌能量,所以不必在每次开关时将CSNB中存储的能量全部放电。因此,即使提高开关频率,RSNB的功耗也不会增加太多,故可增加CSNB的容量,从而可构建出浪涌抑制效果非常出色的威廉希尔官方网站 。然而,这种方式的缓冲威廉希尔官方网站 ,其布线布局更复杂,除非使用四层以上的威廉希尔官方网站 板,否则很难实现。

前面介绍的缓冲威廉希尔官方网站 各有优缺点,因此需要根据电源威廉希尔官方网站 的结构和转换功率容量来选择最合适的缓冲威廉希尔官方网站 。从下一篇开始,将为您介绍每种缓冲威廉希尔官方网站 的设计方法。

*1:“开关转换器基础”P95-P107,P95~P107作者:原田耕介、二宫保、顾文建,出版社:CORONA PUBLISHING CO., LTD.1992年2月

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了解碳化硅功率元器件及其应用案例

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“缓冲威廉希尔官方网站 的种类和选择”相关文章一览

  • SiC MOSFET:缓冲威廉希尔官方网站 的设计方法—前言—

  • 漏极和源极之间产生的浪涌

  • C缓冲威廉希尔官方网站 的设计

  • RC缓冲威廉希尔官方网站 的设计

  • 放电型RCD缓冲威廉希尔官方网站 的设计

  • 非放电型RCD缓冲威廉希尔官方网站 的设计

  • 封装引起的浪涌差异

  • SiC MOSFET:缓冲威廉希尔官方网站 设计方法—总结—

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