双向可控硅晶闸管好坏判断

电子说

1.3w人已加入

描述


双向可控硅晶闸管(Bidirectional Thyristor)是一种半导体器件,主要用于交流威廉希尔官方网站 中的控制和调节。它具有双向导电能力和可控性,能够方便地实现正反向电流的控制和转换。在工业、家居等领域得到了广泛应用。但是,在使用过程中,人们经常会遇到双向可控硅晶闸管的故障问题。本文将详细介绍双向可控硅晶闸管的好坏判断方法。

一、外观检查

首先需要进行外观检查。通过检查外观,了解双向可控硅晶闸管的表面状况是否完好无损、无氧化和变色现象等。

正常情况下,双向可控硅晶闸管表面应平滑、光亮,无裂痕,无明显凹凸不平的现象。同时,检查器件的引脚、导线和外壳连线是否牢固、不翘曲。如有变色、氧化或烧焦的现象,则说明该器件已经发生过短路或失效,不能继续使用。

二、电性能测试

在外观检查合格的前提下,需要进一步进行电性能测试。以下是几种测试方法:

1.测量正向导通电压(VF)

将双向可控硅晶闸管的阳极和阴极之间连接直流电源,电源的极性和双向可控硅晶闸管的箭头所指方向一致,电源电压逐渐升高,同时用万用表记录下此时电阻值的变化情况。当电流流过晶闸管时,电源电压和电流值达到平衡时,所测的电压即为正向导通电压(VF)。正常情况下,双向可控硅晶闸管的VF应在1V以下。

2.测量反向击穿电压(VBO)

双向可控硅晶闸管的反向击穿电压(VBO)是其反向承受电压的最大值。通过测量双向可控硅晶闸管的跨极反向电阻(RBO)来确定反向击穿电压的值。将测试电极移到自阻压极点处,用万用表进行测量的同时,逐渐增加直流电源电压,直到发现电流急剧增加,则说明破压电压已经达到了该值。正常情况下,双向可控硅晶闸管的反向击穿电压(VBO)应在1500V以上。

3.测量触发电流(IT)

触发电流(IT)是指在控制极上施加脉冲信号,使得晶闸管由封锁状态转为有源状态所需的最小电流。触发电流的大小可以影响到晶闸管的可控性能。通常使用较小的触发电流,可以增强晶闸管的可控性能,提高转换效率。通过施加0.5mA的导通电流来测试双向可控硅晶闸管的触发电流。正常情况下,双向可控硅晶闸管的触发电流(IT)应在5mA以内。

4.测量反向电容(CR)

双向可控硅晶闸管应在相反极的反向电容所检测,来测试反向电容。在测试前需先对晶闸管进行放电处理,施加10V以下的电压进行测试。正常情况下,双向可控硅晶闸管的反向电容(CR)应在100pF以内。

总的来说,双向可控硅晶闸管好坏的判断主要依据其外观和电性能测试。正确地检测、判断和保养器件可以有效避免故障的发生,保证其正常运转及使用寿命。

打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分