0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

ChatGPT变聪明了吗?如何计算IGBT器件的工作结温Tvj

英飞凌工业半导体 2023-09-09 08:16 次阅读

本期是和ChatGPT辩论的第二回合

本期我们投喂了以下问题:

Q

如何计算IGBT器件的工作结温Tvj?

ChatGPT是这样说的:


要计算IGBT器件的工作结温Tvj,需要考虑以下几个因素:

1

IGBT芯片的功率损耗。这个值可以通过IGBT芯片厂家提供的datasheet中查到。通常来说,功率损耗越大,工作结温就越高。

2

IGBT芯片的封装方式。不同的封装方式会影响散热效率。一般来说,背面带有散热片的封装方式散热效果较好。

3

外部散热器的散热能力。外部散热器的散热能力也会影响工作结温。散热器的大小、材料以及通风情况都会影响散热效果。

如果考虑了以上因素后,可以使用以下公式计算IGBT器件的工作结温Tvj:

Tvj = Ta + Pd*Rthjc


其中, Ta是环境温度,Pd是IGBT芯片的功率损耗,Rthjc是芯片与散热器结合部的热阻。

需要注意的是,这个公式只考虑了IGBT芯片本身的散热情况,并没有考虑整个系统的散热能力。因此,在实际应用中,还需要结合具体的系统情况来确定IGBT器件的工作结温。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • IGBT
    +关注

    关注

    1267

    文章

    3792

    浏览量

    248982
  • 器件
    +关注

    关注

    4

    文章

    310

    浏览量

    27829
  • ChatGPT
    +关注

    关注

    29

    文章

    1560

    浏览量

    7631
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    森国科推出全新1200V/25A IGBT

    森国科推出的1200V/25A IGBT(选型:KG025N120LD-R)适用于逆焊机、不间断电源和电磁加热器等方面。新款IGBT的鲁棒性和耐用性极强,当实际电流是标准电流的四倍时无闩锁效应,短路时间极短,仅5μs,最大
    的头像 发表于 12-04 16:16 302次阅读
    森国科推出全新1200V/25A <b class='flag-5'>IGBT</b>

    功率模块中的估算技术

    是判定IGBT是否处于安全运行的重要条件,IGBT工作
    的头像 发表于 11-13 10:19 410次阅读
    功率模块中的<b class='flag-5'>结</b><b class='flag-5'>温</b>估算技术

    如何计算IGBT模块的死区时间

    计算IGBT模块死区时间 1 引言 在现代工业中,IGBT器件在电压源逆变器中的使用越来越广泛。为了确保可靠地使用IGBT,必须避免出现桥臂
    的头像 发表于 11-08 10:23 806次阅读
    如何<b class='flag-5'>计算</b><b class='flag-5'>IGBT</b>模块的死区时间

    IGBT器件的基本结构和作用

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即绝缘栅双极型晶体管,是一种复合全控型电压驱动式开关功率半导体器件。它结合了双极型晶体管(BJT)和金属氧化物
    的头像 发表于 08-08 09:46 656次阅读

    igbt芯片vce与的关系

    IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种广泛应用于电力电子领域的半导体器件,具有高输入阻抗、低导通压降、快速开关速度等特点。在IGBT的应用过程中,VCE(集电极-发射极电压)和
    的头像 发表于 08-08 09:13 1401次阅读

    IGBT功率器件功耗

    IGBT等功率电子器件工作中,由于自身的功率损耗,将引起IGBT温度升高。引起功率器件发热的原因主要有两个,一是功率
    的头像 发表于 07-19 11:21 806次阅读
    <b class='flag-5'>IGBT</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>功耗

    特瑞诺TRINNO高性能IGBT说明介绍

    今天为大家介绍一款特瑞诺(TRINNO)坚固耐用、性能卓越的IGBT,这款IGBT器件TGH80N65F2DS的额定电压为650V,具有快速恢复反并联二极管,漏电流极低,在高温和低
    的头像 发表于 06-20 11:24 484次阅读
    特瑞诺TRINNO高性能<b class='flag-5'>IGBT</b>说明介绍

    关于IGBT模块的散热设计

    由于IGBT模块自身有一定的功耗,IGBT模块本身会发热。在一定外壳散热条件下,功率器件存在一定的升(即壳与环境温度的差异)。
    的头像 发表于 03-22 09:58 1.4w次阅读
    关于<b class='flag-5'>IGBT</b>模块的散热设计

    IGBT模块理论研究:IGBT三相逆变威廉希尔官方网站 分析

    芯片计算,需要获取芯片的损耗,损耗的准确性,决定了计算芯片的准确性。
    发表于 02-22 13:46 2591次阅读
    <b class='flag-5'>IGBT</b>模块理论研究:<b class='flag-5'>IGBT</b>三相逆变威廉希尔官方网站
分析

    IGBT器件的结构和工作原理

    IGBT器件的结构和工作原理
    的头像 发表于 02-21 09:41 1810次阅读
    <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>器件</b>的结构和<b class='flag-5'>工作</b>原理

    IGBT是什么类型的器件 IGBT是电压驱动还是电流驱动

    Field-Effect Transistor)的控制性能,又具有异质的管子功率特性。IGBT也是一个开关器件,可以在高电压和高电流条件下工作,并且被广泛应用于各种电力电子设备中。
    的头像 发表于 02-01 13:59 2952次阅读

    IGBT工作原理 IGBT的驱动威廉希尔官方网站

    IGBT是一种高性能功率半导体器件,常用于驱动大功率负载的威廉希尔官方网站 中。 一、IGBT工作原理 IGBT是由MOSFET(金属氧化物半导体场效应
    的头像 发表于 01-12 14:43 6430次阅读

    igbt内部结构及工作原理分析

    领域。本文将对IGBT的内部结构及工作原理进行详细介绍。 一、IGBT的内部结构 IGBT主要由四层半导体材料构成,分别是P型、N型、P型和N型。从上到下依次为:发射极、集电极、P型基
    的头像 发表于 01-10 16:13 1803次阅读
    <b class='flag-5'>igbt</b>内部结构及<b class='flag-5'>工作</b>原理分析

    MOS/IGBT在储能变流器(PCS)上的应用

    功率器件在储能变流器(PCS)上的应用,双向DC-DC高压侧BUCK-BOOST线路,推荐瑞森半导体超MOS系列。模块BOOST升压/双向DC-AC转化器,推荐瑞森半导体IGBT系列。
    的头像 发表于 01-03 13:41 1104次阅读
    超<b class='flag-5'>结</b>MOS/<b class='flag-5'>IGBT</b>在储能变流器(PCS)上的应用

    MOS/IGBT在储能变流器(PCS)上的应用

    功率器件在储能变流器(PCS)上的应用,双向DC-DC高压侧BUCK-BOOST线路,推荐瑞森半导体超MOS系列。模块BOOST升压/双向DC-AC转化器,推荐瑞森半导体IGBT系列。
    的头像 发表于 01-03 11:44 853次阅读
    超<b class='flag-5'>结</b>MOS/<b class='flag-5'>IGBT</b>在储能变流器(PCS)上的应用