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充电器ic U6203D高压启动低损耗

开关电源芯片 来源:开关电源芯片 2023-11-01 16:02 次阅读

充电器ic U6203D高压启动低损

充电器ic U6203D在启动阶段,采用高压启动技术,芯片启动前2.0mA电流源为内部偏置威廉希尔官方网站 供电并给外部VDD电容充电,快速启动。

当VDD电压达到VDDon,芯片开始工作的同时高压启动威廉希尔官方网站 关断;只要VDD电压不低于VDDoff,芯片维持正常工作。启动后,偏置威廉希尔官方网站 通过辅助源供电,同时启动威廉希尔官方网站 只有一路极小的电流,实现低损耗。

充电器ic U6203D在CC工作状态,采样FB引脚的信号(由辅助绕组信号通过电阻分压),辅助绕组信号脉宽决定振荡频率。

输出电压越高,脉宽越小,同时振荡频率越高,这样可获得恒定的输出电流;在CV工作状态,U6203D使用脉冲采样VFB电压,并保持到下个采样点。

将采样的电压和VREF_CV基准比较,并放大误差。这个误差值代表负载情况,通过控制开关信号,调节输出电压,使得输出恒定。

充电器ic U6203D含有丰富的保护功能,包括:逐周期过流保护、过压保护、过温保护、开环保护、输出短路保护、CS电阻开/短路保护、VDD欠压锁定保护功能,并且这些保护具有自恢复模式。

可用作昂宝OB2358、微盟ME8109、启达CR6228/9和CR5223/5243等IC的替换料,脚位如下:

1 NC 无连接。引脚没有任何用途,只是限于封装形式。

2 VDD 芯片供电管脚。

3 FB 反馈输入管脚。闭环控制时连接于光电耦合器相连,此脚位电压决定了PWM驱动信号的占空比和CS管脚的关断电压。

4 CS 电流采样输入管脚。

5、6 DRAIN 内置功率MOSFET漏极。

7 GND 芯片参考地。

充电器ic U6203D效率满足六级能效要求,副边反馈/内置600V功率MOSFET内置65KHz工作频率;零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败,内置4mS软启动, 管脚浮空保护。

采用DIP-7的封装方式,推荐输出5V1.2A/2A/2.5A和12V1A,可应用在控制板系统、充电器、适配器、控制板系统、LED照明驱动电源系统等。







审核编辑:刘清

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原文标题:充电器ic U6203D高压启动低损耗

文章出处:【微信号:gh_3980db2283cd,微信公众号:开关电源芯片】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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