使用耗尽型MOSFET简化PD3.1快充设计(上)

前言

尽管说如今的充电器，集成度越来越高，外围器件的数量越来越少。但是PD3.1的推出，支持28V及以上的输出电压，更宽的输出电压范围，超出了高耐压的原边控制器的供电范围，同时现有的同步整流控制器，也无法应用在高输出电压下，令工程师的选型很是头疼。

为了应对PD3.1升级输出电压后，宽电压输出导致开关电源初级电压供电范围变动较大的问题，ARK（方舟微）推出了一系列具有特殊功能的MOSFET，可以代替传统多颗元件组成的供电稳压威廉希尔官方网站 ，从而简化电源中对于控制器的供电设计，并优化待机功耗表现。在缺货的大背景下，拓展现有芯片的供电范围，保证产品出货。

ARK（方舟微）

ARK（方舟微）自主研发的专利产品100V、150V、600V等系列耗尽型MOSFET受到市场广泛欢迎，成为众多高端品牌充电设备首选器件。目前，已被PI、IWATT、ON等多家主IC方案商普遍选用。

DMZ1015E/DMX1015E

ARK（方舟微）DMZ1015E/DMX1015E是一颗耐压100V的耗尽型NMOS，是原DMZ0615E/DMX0615E的升级版本，采用特有超高阈值“UItraVt”技术（ARK专利），可为负载提供稳定的供电，且输出电压可由内部钳位，无需稳压管，简化威廉希尔官方网站 设计。

电源威廉希尔官方网站 更加简化

DMX1015E (SOT-89封装)，耗散功率1W，能承受更宽的输入电压，适合单绕组的VCC供电；DMZ1015E (SOT-23封装） 耗散功率0.5W，适合双绕组的VCC供电；可根据耗散功率灵活选用。

DMZ1315E(L）/ DMX1315E (L）****

在Type-C/PD充电器中，ARK（方舟微）研发的DMZ1315E(L)/DMX1315E(L)可作为高压线性稳压源，特有超高阈值 “UItraVt”技术（ARK专利） ，利用其亚阈值特性实现稳定的电压或电流输出，PWM IC电源威廉希尔官方网站 更加简化。

DMZ(X)1015E升级版

DMX1315E(L) (SOT-89封装) 耗散功率1W，能承受更宽的输入电压，适合单绕组的VCC供电，DMZ1315E(L) (SOT-23封装）耗散功率为0.5W，适合双绕组的VCC供电。

该系列属于DMZ(X)1015E的升级版，耐压提高至130V，不仅适用于原DMZ(X)1015E的所有应用方案，还可用于对电压有更高要求的方案（如PD3.1中新增的28V/5A输出）。

节约成本

ARK（方舟微）推出的一系列耗尽MOSFET，适配绝大多数开关电源控制器供电需求，利用耗尽型MOSFET的亚阈值特性，能够简化传统控制器用于高压以及宽电压输出的供电威廉希尔官方网站 设计，降低研发难度的同时，降低整体物料成本。

国产替代

ARK（方舟微）作为快充领域威廉希尔官方网站 稳压与保护器件的供应商，陪伴充电设备14年，从摩托罗拉到华为；从三星到Google；从手机充电到汽车充电，几乎覆盖所有充电产品！

ARK（方舟微）产品以高品质、高性能、低成本对标国外同类产品，实现国产替代，被国内外客户广泛采用。