适用于高功率密度的PD 30W快速充电器芯片U8722
使用频率的大幅度提升给智能手机的技术发展带来了更高的要求,智能快充市场也随之爆火。GaN给智能快充领域带来了不少新机会,同时也进入了多个新的应用场景。深圳银联宝科技新推出集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式PD 30W快速充电器芯片U8722,可以更好的提高充电效率!
PD 30W快速充电器芯片U8722是一款集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动威廉希尔官方网站 ,可获得快速启动功能和超低的工作电流,实现小于30mW的超低待机功耗。U8722的工作频率最高可达 220kHz,可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流可配置功能,可极大的优化系统EMI性能。芯片内置Boost供电威廉希尔官方网站 ,非常适用于宽输出电压 的应用场景。
PD 30W快速充电器芯片U8722主要特点:
集成 650V E-GaN
集成高压启动功能
超低启动和工作电流,待机功耗 <30mW
谷底锁定模式,最高工作频率两档可调(220kHz,130kHz)
集成 EMI 优化技术
驱动电流分档配置
集成 Boost 供电威廉希尔官方网站
封装类型 ESOP-7、HSOP-7
PD 30W快速充电器芯片U8722集成有完备的保护功能,包括:VDD欠压保护(UVLO)、VDD过压保护(VDD OVP)、输入欠压保护(BOP)、输出过压保护(OVP)、逐周期电流限制(OCP)、异常过流保护(AOCP)、过载保护(OLP)、输出过流保护(SOCP)、内置过热保护(OTP)、前沿消隐(LEB)、CS管脚开路保护等。
由于原边功率开关寄生电容、变压器寄生电容和副边整流管反向恢复的原因,功率开关开通瞬间会在采样电阻上产生电压尖刺。为避免驱动信号被错误关闭,PD 30W快速充电器芯片U8722内部集成有前沿消隐功能。在开关管导通之后的TLEB_OCP (典型值 232ns)时间内,峰值电流比较器不会关闭功率开关。在异常过流保护状态下(AOCP),为保证系统可靠性,当CS管脚电压达到AOCP保护阈值VCS_AOCP( 典型值 -1.2)时, 前沿消隐时间进一步降低到TLEB_AOCP (典型值 131ns)。
PD 30W快速充电器芯片U8722通过DRAIN管脚对母线电压进行采样, 经过内部滤波处理,得到准确的母线电压值,当母线电压值小于BOP保护阈值VBOP (典型值 99V)时,芯片内部的BOP延迟计时使能, 计时时间为TBOP_DELAY (典型值 75ms),计时结束后触发BOP保护。如果母线电压超过BOP恢复阈值VBOP_RE(典型值 110V),芯片将重新启动。
审核编辑:汤梓红
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原文标题:适用于高功率密度的PD 30W快速充电器芯片U8722
文章出处:【微信号:gh_3980db2283cd,微信公众号:开关电源芯片】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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