英特尔深度解析其芯片技术创新，引领全球芯片科技潮流

　　导语：凭借强大的技术创新实力，英特尔在日前召开的IEEE国际电子器件会议EDM 2023上，展示出一系列令人瞩目的成果，让人们看到摩尔定律仍旧保持生命力。公司杰出的技术团队正在全力突破技术前沿。英特尔身为全球领先的半导体解决方案供应商，用行动和成果证明了他们是引领半导体行业走向未来的主导力量。

　　在近日举行的EDM 2023上，半导体巨头英特尔展示了一项结合了直接背面触点和背面电源的3D堆叠CMOS晶体管技术，以及其在背面供电和硅元素/氮化镓（GaN）晶体管大规模单片集成上的突出成绩。此外，英特尔还率先完成了在300毫米晶圆上进行硅晶体管和氮化镓晶体管集成的巨大创举，这一成果无疑向业界宣告了他们在三维集成和背面供电等尖端技术和设计方面的卓越实力。

　　该会议的出席者之一，英特尔公司高级副总裁暨组件研究总经理Sanjay Natarajan表示：“放眼长期，我们已经开始朝向制程技术的E时代，即所谓的‘四年五个制程节点’规划。所以，现在比过去任何时刻更需要不断地开展革新。在本次的EDM 2023上，我们尽力向大众展示了我们在保持摩尔定律的可持续性上所做的努力。”他进一步解释说，双面供电技术、先进封装部件的玻璃基底以及Foveros Direct等多个最近的发展，均展示了英特尔持续推进摩尔定律的决心。

　　众所周知，晶体管微缩和背面供电是英特尔满足快速增长的算力市场需求的关键所在。虽然面临着困境和挑战，例如成本压力，但英特尔坚定不移地推动着自己的发展计划，使自身在满足此类市场需求时处于领先地位。在最近的这一系列进展中，英特尔显示了对晶体管堆叠、背面供电技术的改进以及各种材料晶体管的整合等方面的广泛研究和深入探索。

　　英特尔的这些创新科技，预计将能于2030年前效劳于社会。为此，英特尔特别设立了各种实验室前瞻研究项目，意在通过更高的效率叠加晶体管来实现更大程度的缩小体积。借助背面供电和背面接触等工具，可以看出英特尔在晶体管结构技术方面取得了显著的进步。英特尔研究师在会议期间，详细介绍了她们在使用新2D通道材料以提升背面供电技术方面做出的努力，这都表明了其薄膜技术的进一步推进。有鉴于此，英特尔对摩尔定律的继续推崇也就不足为奇了。英特尔坚信，通过这种方式，到2030年之前，他们完全能够实现在单个封装内融合超过一京等于1000亿个晶体管的壮举。

　　结语：英特尔在此次的活动中，再次用实际行动证明了它作为半导体巨人的地位。在面对市场竞争和技术变革时，英特尔不仅没有被打倒，反而抓住机遇，成为了引领行业的标志性存在。未来，英特尔将会继续发挥其强大技术创新能力，打造出更多符合客户需求的优质产品，致力于推动全球芯片科技的进步，让我们共同期待英特尔带给我们更多的惊喜！