关于IGBT 安全工作区 你需要了解这两个关键

Q A &

问：IGBT 的安全工作区

在 IGBT 的规格书中，可能会看到安全工作区（SOA, Safe Operating Area），例如 ROHM 的 RGS30TSX2DHR 如下图所示。这个安全工作区是指什么？

 

 

图1. Rohm 的RGS30TSX2DHR 安全工作区 （图片来源ROHM）

 

 

IGBT 的安全工作区（SOA）是使IGBT在不发生自损坏或性能沒有下降的情况下的工作电流和电压条件。实际上，不仅需要在安全工作区内使用IGBT，还需对其所在区域实施温度降额。安全工作区分为正向偏置安全工作区（FBSOA,Forward Bias Safe Operating Area）和反向偏置安全工作区（RBSOA,Reverse Bias Safe Operating Area）。

 

 

1

正向偏置安全工作区

 正向偏置安全工作区定义了IGBT导通期间的可用电流和电压条件。

 

 图2. RGS30TSX2DHR 的正向偏置安全工作区 （图片来源ROHM）

 

 上图是RGS30TSX2DHR 的正向偏置安全工作区，可以根据具体情况分为4个领域，如下所述:
① 受集电极最大额定电流限制的区域
② 受集电极耗散限制的区域
③ 受二次击穿限制的区域 (该区域会因器件设计而有所不同)
④ 受集电极-发射极最大额定电压限制的区域

 

 

2

 反向偏置安全工作区

反向偏置安全工作区定义了IGBT关断期间的可用电流和电压条件。

 

 图3. RGS30TSX2DHR 的反向偏置安全工作区 （图片来源ROHM）

 

 

上图是 RGS30TSX2DHR的反向偏置安全工作区可以简单分为2个有限区域，如下所述:

 

 

 

1. 受集电极最大额定电流值限制的区域

    

2. 受集电极-发射极最大额定电压限制的区域。  

    

请注意，当设计的 V_CE－I_C 工作轨迹偏离产品本身安全工作区时，产品可能会发生出现意外故障。因此，在设计威廉希尔官方网站 时，在确定与击穿容限相关的具体特性和威廉希尔官方网站 常数时，必须密切注意耗散和其他性能问题。例如，反向偏置安全工作区具有温度特性（在高温下劣化），V_CE－I_C 的工作轨迹根据栅极电阻 R_g 和栅极电压 V_GE 而变化。

 

 因此，有必要在了解工作环境和关断时的最小栅极电阻值后，才进行 R_g 和 V_GE 设计。  

 更多晶体管相关技术内容，请查看以下内容：

• 晶体管 -FET和Mos管

   

   

• Mos管开关

   

   

• 我可以用晶体管驱动继电器吗?

   

   

• 使用集成Mos管限电

   

   

• 一种与非门MOS管模型

     最后，如果你喜欢这篇文章，快分享给更多的小伙伴吧! 切记点个赞哦!

 

 提示点击菜单设计支持:工程师锦囊,获取更多工程师小贴士

 

 

 

秘技知识学不停   专属福利享不停

  就等您加入！

 

 

    点此登记    

 

 

赚积分、换好礼

立即到「会员权益」查看您的礼遇! 如有任何问题，欢迎联系得捷电子DigiKey的客服团队

  中国（人民币）客服   

400-920-1199  服务支持 > 联系客服 > 微信客服service.sh@digikey.com  QQ在线实时咨询：4009201199

 

 

   中国（美金）/  香港客服   

 

400-882-4440

852-3104-0500  china.support@digikey.com

 

点击下方“阅读原文”查看更多

让我知道你在看哟