适用于人工智能的磁存储器HS4MANSQ1A-DS1，容量高达4M

如今，人工智能应用都需要使用存内计算、存算一体等非冯架构，更紧密地将处理器与存储器进行结合。当今先进的AI芯片中的磁存储器可高达芯片面积的70%。磁存储器具有媲美SRAM的高速随机读写特性，满足数据高速处理的需求。

并且磁存储器的存储单元只需要1个晶体管（SRAM需6个晶体管），使用 磁存储器替代SRAM时，可以将内存所需面积减少大约25%。另外磁存储器还具有良好的数据非易失性，可以大幅降低芯片静态功耗。因此磁存储器可以作为人工智能应用的理想选择。本文主要介绍磁存储器HS4MANSQ1A-DS1的应用特征。

HS4MANSQ1A-DS1是一个大容量4Mbit的国产磁存储器，SPI/QPI(串行单线/四线接口)。该芯片可配置为1位I/O独立接口或4位I/O通用接口，而且HS4MANSQ1A-DS1存储阵列中的数据可以保持10年以上，适用于工业、工业等众多应用场景。

磁存储器特点如下：
 

1、低电压操作：单一电源，VCC 3.3V（标准电压）

2、数据保护：软保护模式，BP0, BP1 在模式寄存器#1

3、电力消耗：休眠电流 2μA (典型值)

     待机电流 2mA (典型值) 

     写电流 12mA (典型值 @SPI 200MHz) 

     读电流 5.2mA (典型值 @SPI 100MHz) 

4、可靠性：数据保留>10年@105℃ 

                  数据保留>20年@85℃

5、工作温度范围：-40℃~125℃

6、封装：SOP8

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