瑞萨RX产品家族包含四个产品系列:具有最优性能和最强功能的旗舰RX700系列;标准RX600系列;完美兼具高功效和高性能的RX200系列;和具有极低功耗的入门级RX100系列。这四个系列囊括了众多产品,实现从小型到大型应用的无缝扩展。
将其他芯片的电机控制方案移植到瑞萨RX系列时,由于PWM死区的插入方式不同,通常会引起相电流波形的畸变。下面介绍PWM死区插入方式的不同以及处理方法。
图1 其他芯片MCU PWM
上图1为其他芯片MCU的PWM,我们可以看到死区插入方式为A PWM的上升和B PWM的下降,如图我们假设:
周期寄存器TBPRD=9,
比较寄存器CMPA=3,
上升死区时间寄存器DVRED=2,
下降死区时间寄存器DVFED=1,
则我们可以得到:
A PWM占空比
=TBPRD*2-(CMPA*2+DVRED)
=9*2-(3*2+2)
=10
B PWM占空比
=TBPRD*2-(CMPA*2-DVFED)
=9*2-(3*2-1)
=13
图2 瑞萨RX系列MCU PWM(1)
上图2为瑞萨RX系列MCU的GPT输出的PWM,GPT的详细使用方法请参考RX系列硬件手册,(例如RX66T硬件手册)。我们可以看到死区插入方式为B PWM的上升和B PWM的下降,如图我们假设周期寄存器和比较寄存器的值跟上图一相同的情况下:
周期寄存器GTPR=9,
比较寄存器GTCCRA=3,
上升死区时间寄存器GTDVU=2,
下降死区时间寄存器GTDVD=1,
则我们可以得到:
A PWM占空比
=GTPR*2-(GTCCRA*2)
=9*2-(3*2)
=12
B PWM占空比
=GTPR*2-(GTCCRA*2-GTDVU-GTDVD)
=9*2-(3*2-2-1)
=15
我们得到的结果是图2中A和B PWM波形的占空比跟图1中的都不一样,这样就会引起输出相电流波形的畸变。那怎样才能得到跟图1相同的PWM波形呢?如下图3所示:
图3 瑞萨RX系列MCU PWM(2)
上图3为瑞萨RX系列MCU的PWM,我们可以看到死区插入方式为B PWM的上升和B PWM的下降,如图我们假设:
周期寄存器GTPR=9,
比较寄存器GTCCRA=4,
上升死区时间寄存器GTDVU=2,
下降死区时间寄存器GTDVD=1,
则我们可以得到:
A PWM占空比
=GTPR*2-(GTCCRA*2)
=9*2-(4*2)
=10
B PWM占空比
=GTPR*2-(GTCCRA*2-GTDVU-GTDVD)
=9*2-(4*2-2-1)
=13
我们可以看到通过修改比较寄存器的值为4,图3中A和B PWM波形的占空比跟图1中的都一样,这样就不会引起输出相电流波形的畸变了。
通过这篇文章我们可以看出将其他芯片的电机控制方案移植到瑞萨RX系列时可以通过修改比较寄存器的值,来得到跟移植前PWM占空比一样的波形。
审核编辑:刘清
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原文标题:如何处理电机方案移植引起的相电流波形畸变
文章出处:【微信号:瑞萨MCU小百科,微信公众号:瑞萨MCU小百科】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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