Vishay推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块

采用改良设计的 INT-A-PAK 封装 IGBT 功率模块

半桥器件采用 TrenchIGBT 技术，可选低 VCE(ON) 或低 Eoff

适用于大电流逆变级

日前，Vishay 推出五款采用改良设计的 INT-A-PAK 封装新型半桥 IGBT 功率模块。新型器件由 VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N 组成，采用 Vishay 的 Trench IGBT 技术制造，为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低 VCE(ON) 或低 Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。

日前发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的 Trench IGBT，与具有超软反向恢复特性的第四代 FRED Pt 反并联二极管封装在一起。模块小型 INT-A-PAK 封装采用新型栅极引脚布局，与 34 mm 工业标准封装 100% 兼容，可采用机械插接方式更换。



这款工业级器件可用于各种应用的电源逆变器，包括铁路设备、发电配电和储电系统、焊接设备、电机驱动器和机器人。

为降低 TIG 焊机输出级导通损耗，VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S 和 VS-GT200TS065S 在 + 125 °C，额定电流下，集电极至发射极电压仅为 ≤ 1.07V，达到业内先进水平。

VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N 适用于高频电源应用，开关损耗极低，+ 125 °C，额定电流下，Eoff 仅为 1.0 mJ 。

模块符合 RoHS 标准，集电极至发射极电压为 650 V，集电极连续电流为 100 A 至 200 A，结到外壳的热阻极低。

器件通过 UL E78996 认证，可直接安装散热片，EMI 小，减少了对吸收威廉希尔官方网站 的要求。

器件规格表

Vishay 五款采用改良设计的 INT-A-PAK封装新型半桥 IGBT 功率模块

审核编辑：刘清