瞻芯电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品,这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证(AEC-Q101 Qualified),还具备业界领先的低损耗水平。这些新型MOSFET的推出,标志着瞻芯电子在半导体技术领域的又一重要突破。
据了解,瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET芯片,相较于同类产品,具有更低的损耗水平。这一优势使得该芯片在功率变换系统中能够更有效地减少能量损失,从而提高系统整体效率。此外,其驱动电压范围设定在15V~18V,这一设计使得芯片与现有系统的兼容性更好,能够无缝集成到各种应用场景中。
瞻芯电子采用TO247-4封装的车规级第二代650V SiC MOSFET系列产品,在性能上同样表现出色。这些产品具有高速开关特性,使得功率变换系统能够实现更高的工作频率,进一步提升了系统的响应速度和效率。同时,低损耗特性确保了在高频工作下系统仍能保持较低的能耗。
此次推出的三款产品,不仅为功率变换系统提供了高频、高效率的解决方案,也进一步推动了SiC MOSFET在新能源汽车、工业控制、电力电子等领域的广泛应用。瞻芯电子通过持续的技术创新和产品研发,不断为客户提供更加优质、高效的半导体解决方案,助力行业实现更加绿色、智能的未来。
瞻芯电子的这一举措,无疑为整个半导体行业带来了新的活力。随着技术的不断进步和市场需求的不断增长,我们有理由相信,瞻芯电子将继续在半导体领域发挥引领作用,推动行业的持续发展和创新。
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