英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展

　　英飞凌最近发布了全新的750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，满足工业和汽车领域对更高能效和功率密度的不断增长需求。

　　这款产品系列包含了专为图腾柱PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥(DAB)、HERIC、降压/升压和移相全桥(PSFB)等拓扑结构进行优化的工业级和车规级SiC MOSFET。

　　这些MOSFET广泛适用于工业领域的典型应用，如电动汽车充电、工业驱动器、太阳能和储能系统、固态断路器、UPS系统、服务器/数据中心、电信等，以及汽车领域的应用，如车载充电器(OBC)、直流-直流转换器等。

　　CoolSiC MOSFET 750V G1系列产品的特点在于出色的RDS(on) x Qfr和卓越的RDS(on) x Qoss优值(FOM)，无论是在硬开关还是软开关拓扑结构下，都具备极高的效率。独特的高阈值电压(VGS(th)，典型值为4.3V)结合低QGD/QGS比率，具有对寄生导通的高度稳健性，并实现了单极栅极驱动，不仅提高了功率密度，还降低了系统成本。所有半导体器件采用英飞凌独特的芯片连接技术，赋予了芯片出色的热阻，确保了高度可靠性。同时，优化设计的栅极氧化层和英飞凌的认证标准也保证了长期稳定的性能。

　　全新的CoolSiC MOSFET 750V G1产品系列在25°C时的RDS(on)范围为8至140 mΩ，能够满足各种需求。其设计具有较低的传导和开关损耗，大幅提升了整体系统效率。创新的封装设计进一步减小了热阻，有助于改善散热并优化威廉希尔官方网站 内的功率环路电感，实现了高功率密度的同时降低了系统成本。值得一提的是，该产品系列还采用了先进的QDPAK顶部冷却封装。

　　适用于汽车应用的CoolSiC MOSFET 750V G1采用了QDPAK TSC、D2PAK-7L和TO-247-4封装;而适用于工业应用的CoolSiC MOSFET 750V G1则采用了QDPAK TSC和TO-247-4封装。这些封装选择为用户提供了更多的灵活性和便利性，以满足不同应用场景的需求。

　　英飞凌的750V G1分立式CoolSiC MOSFET系列产品的推出将进一步推动工业和汽车领域的发展，满足了市场对更高能效和功率密度的迫切需求。这将为用户带来更高的性能和可靠性，助力实现新能源和智能交通等领域的创新和进步。

　　通过推出全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1系列产品，英飞凌为汽车和工业解决方案的发展带来了革新。这一系列产品将进一步推动工业和汽车领域的发展，满足了市场对更高能效和功率密度的迫切需求。这将为用户带来更高的性能和可靠性，助力实现新能源和智能交通等领域的创新和进步，带来了实实在在的利益。