中芯国际获“半导体结构及其形成方法”专利 
据悉，中芯国际集成威廉希尔官方网站 制造（上海）有限公司近期获得一项关于“半导体结构及其形成方法”的专利，专利号为CN111370488B，于2024年4月16日正式生效，其申请日期是2018年12月26日。
该半导体结构及其形成方法主要包含以下步骤：首先，需制备基底，其中含有器件区及位于两侧的隔离区；之后进行基底图案化，制作出衬底及突出于衬底的鳍部；接着，在器件区两侧形成突出于隔离区衬底的第一伪鳍部；最后，在鳍部与第一伪鳍部暴露的衬底上形成隔离层，并覆盖鳍部部分侧壁。通过这种方式，第一伪鳍部的设计能提高各鳍部周边区域的图形密度均匀性，进而改善器件区隔离层的厚度均匀性，同时降低鳍部弯曲或倾斜的可能性，进一步提升半导体结构的电气性能。
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