东芝推出两款采用L-TOGL封装的车载N沟道功率MOSFET产品
东芝近日发布了两款专为车载环境设计的N沟道功率MOSFET产品——“XPQR8308QB”（80V）和“XPQ1R00AQB”（100V），均采用了其前沿的L-TOGL™封装技术。这两款新品不仅集成了东芝最新一代的U-MOS X-H工艺，使得导通电阻达到极低水平，极大提升了能效。
尤为引人注目的是，L-TOGL™封装技术中采用了独特的铜夹片结构。这种设计通过厚铜框将MOSFET芯片与外部引脚紧密相连，有效提升了散热性能和电气连接稳定性。这一创新不仅确保了产品在高负载、高温等恶劣车载环境下的稳定工作，同时也为汽车制造商提供了更加可靠、高效的解决方案。
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