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SK海力士将在HBM生产中采用混合键合技术

CHANBAEK 来源:网络整理 作者:网络整理 2024-07-17 09:58 次阅读

半导体技术日新月异的今天,SK海力士再次站在了行业创新的前沿。据最新消息,该公司计划于2026年在其高性能内存(High Bandwidth Memory, HBM)的生产过程中引入混合键合技术,这一举措不仅标志着SK海力士在封装技术上的重大突破,也预示着全球半导体行业将迎来新一轮的技术革新。

为了实现这一目标,SK海力士已与领先的半导体封装解决方案提供商Genesem紧密合作。目前,Genesem已向SK海力士的试验工厂交付了两台先进的下一代混合键合设备,用于全面测试和优化该工艺。这一合作不仅体现了双方在技术创新上的共同追求,也展示了SK海力士对于提升产品竞争力、加速技术迭代的坚定决心。

混合键合技术相较于传统封装方式具有显著优势。它摒弃了铜焊盘之间常用的凸块和铜柱结构,转而采用直接键合焊盘的方式,极大地简化了封装流程,并显著提升了封装密度。这一变革意味着,在相同的封装尺寸下,SK海力士能够装入更多的芯片进行堆叠,从而在不增加功耗的前提下,大幅提升内存的带宽和容量。这对于追求极致性能的数据中心、高性能计算以及人工智能等领域来说,无疑是一个巨大的福音。

随着SK海力士混合键合技术的逐步成熟和商业化应用,我们有理由相信,这一创新将引领全球半导体封装技术的新一轮变革。它不仅将推动HBM等高性能内存产品的性能极限不断突破,也将为整个半导体行业带来更多可能性,助力全球数字化转型的加速推进。

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