意法半导体推出40V STripFET F8 MOSFET晶体管
意法半导体近期推出了标准阈值电压(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶体管系列。该系列晶体管融合了强化版沟槽栅技术的优势，并具备出色的抗噪能力，专为非逻辑电平控制的应用场景设计。
新推出的工业级晶体管STL300N4F8和车规晶体管STL305N4F8AG，额定漏极电流均超过300A，最大导通电阻RDS(on)仅为1mΩ，能够在高功率应用中实现卓越的能效。其动态性能也得到了显著提升，总栅极电荷典型值为65nC，同时拥有低电容(Ciss, Crss)，确保在高开关频率下电能损耗降至最低。
此外，该系列MOSFET体二极管具有低正向电压和快速反向恢复特性，这些特点有助于提高系统的能效和可靠性。在工业和汽车等高要求的应用场景中，这些特性尤为重要，能够确保系统的稳定运行和延长使用寿命。
意法半导体的这一新品推出，再次展示了其在MOSFET技术领域的领先地位。未来，意法半导体将继续致力于技术创新和产品研发，为用户提供更加高效、可靠的半导体解决方案。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
MOSFET
+关注
关注
147文章
7164浏览量
213288 -
意法半导体
+关注
关注
31文章
3137浏览量
108631 -
晶体管
+关注
关注
77文章
9693浏览量
138189 -
高功率
+关注
关注
1文章
192浏览量
18406
发布评论请先 登录
相关推荐
意法半导体发布250W MasterGaN参考设计
参考设计，旨在加速紧凑、高效工业电源的实现。 MasterGaN-SiP是意法半导体的创新之作，它将GaN功率晶体管与经过优化的栅极驱动器完美整合于一个封装内。这一设计不仅显著提升了电
意法半导体与华虹半导体合作生产40nm MCU
近日，有消息传出，全球知名半导体公司意法半导体(ST)已与中国晶圆代工厂华虹半导体达成一项新合作，计划在中国共同生产
意法半导体发布第四代SiC MOSFET技术
意法半导体（简称ST）近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技术，标志着公司在高效能
NMOS晶体管和PMOS晶体管的区别
NMOS晶体管和PMOS晶体管是两种常见的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）类型，它们在多个方面存在显著的差异。以下将从结构、工作
CMOS晶体管和MOSFET晶体管的区别
CMOS晶体管和MOSFET晶体管在电子领域中都扮演着重要角色，但它们在结构、工作原理和应用方面存在显著的区别。以下是对两者区别的详细阐述。
意法半导体推出ST4E1240 RS-485收发器芯片
意法半导体推出了ST4E1240 RS-485 收发器芯片。新产品具有40Mbit/s的传输速度和PROFIBUS兼容输出，以及瞬变和热插拔
意法半导体推出一款ST4E1240 RS-485收发器芯片
意法半导体推出了ST4E1240 RS-485 收发器芯片。新产品具有40Mbit/s的传输速度和PROFIBUS兼容输出，以及瞬变和热插拔
意法半导体推出新型功率MOSFET和IGBT栅极驱动器
意法半导体（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性，还致力于提供高度的系统集成性
意法半导体推出SRK1004同步整流控制器
意法半导体近日发布了其全新同步整流控制器SRK1004，该控制器专为简化采用硅基或氮化镓（GaN）晶体管的功率转换器的设计流程而设计，同时显著提高了转换效率。该控制器适用于多种应用，包
意法半导体推出一款灵活多变的同步整流控制器SRK1004
意法半导体 SRK1004 同步整流控制器降低采用硅基或 GaN 晶体管的功率转换器的设计难度，提高转换能效，目标应用包括工业电源、便携式设备充电器和 AC/DC适配器。
意法半导体推出功率MOSFET和IGBT栅极驱动器
意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
Si晶体管的类别介绍
不同的标准，硅晶体管可以被分为多种类型。 小信号晶体管：主要用于信号放大，处理的电压和电流较低。 功率晶体管：设计用来处理较高的电流和/或电压，常用于电源供应、电机驱动等。 金属氧化物半导体
意法半导体与致瞻科技就SiC达成合作！
今日（1月18日），意法半导体在官微宣布，公司与聚焦于碳化硅（SiC）半导体功率模块和先进电力电子变换系统的中国高科技公司致瞻科技合作，为致瞻科技电动汽车车载空调中的压缩机控制器提供
工商网监
评论