介绍
本设计实例报告描述了使用InnoSwitch-CH INN2023K的10 W CV / CC单面USB充电器。它具有内置的高效率同步整流和单面PCB。此外,它具有次级侧控制的所有优点,以及初级侧调节的简单性。<10 mW空载输入功率和±3%CV,±5%CC调节,对变压器变化不敏感,其瞬态响应与负载时序无关。该设计适用于手机/ USB充电器。
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板,顶视图图2填充威廉希尔官方网站
板,底视图
图3示意图
输入EMI滤波
保险丝F1提供保护,防止初级侧组件的灾难性故障。
由于整流桥BR1的低浪涌电流额定值和大容量存储电容器C1和C2的相对高的值并且因此低的阻抗,浪涌限制热敏电阻(RT1)是必要的。
由于空间有限,特别是从PCB到外壳的高度,因此选择了物理小型桥式整流器BR1。
电容C1和C2提供对整流交流输入的滤波,并与L1和L2一起形成π(π)滤波器,以衰减差模EMI。低值Y电容(C8)可降低共模EMI。
InnoSwitch-CH IC Primary
变压器原边的一侧连接到整流DC总线,另一边连接到InnoSwitch-CH IC(U1)内的集成650 V功率MOSFET。
由D1,R1,R2和C3组成的低成本RCD钳位威廉希尔官方网站 限制了由于变压器和输出走线电感的影响而产生的峰值漏极电压。
IC是自启动的,当首次使用AC时,使用内部高压电流源为BPP引脚电容(C4)充电。正常运行期间,初级侧块由变压器上的辅助绕组供电。其输出配置为反激式绕组,整流和滤波(D2和C5),并通过限流电阻R3馈入BPP引脚。
InnoSwitch-CH IC Secondary
InnoSwitch-CH的次级端提供输出电压,输出电流检测和驱动到一个提供同步整流的MOSFET。
变压器的二次侧由Q1进行整流,并由C10进行滤波。在开关瞬态期间发生高频振铃,否则会在Q1两端产生高电压,辐射EMI会通过缓冲器组件R5和C9降低。
IC的次级侧由次级绕组的正向电压或输出电压自供电。在CV操作期间,输出电压为器件供电,并馈入VO引脚。
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