深圳市坪山区将出台各种政策推动第三代半导体发展

8月28日，在2018“芯集坪山”中国集成威廉希尔官方网站 产业高峰william hill官网 上，电子材料及第三代半导体成为重点话题。深圳市坪山区政府表示，为推动第三代半导体产业发展，坪山区即将出台产业政策——《坪山区人民政府关于促进集成威廉希尔官方网站 第三代半导体产业发展若干措施》。

发展第三代半导体是国家战略重大需求

第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、深圳第三代半导体研究院副理事长吴玲会上表示，第三代半导体满足国防安全、智能制造、产业升级、节能减排等国家重大战略需求。

在她看来，第三代半导体支撑着我国高频、高速、宽带通信系统核心器件的自主可控，支撑国家能源战略，支撑着高速列车、新能源汽车等核心动力系统的发展以及节能环保、国防安全军事装备的自主发展等。

吴玲表示，第三代半导体现已进入爆发式增长期，全球各国争相抢占战略制高点，在我国，第三代半导体早已受到政府层面的高度关注。

自2004年开始，我国政府就第三代半导体材料研究与开发进行了相应的部署，并启动了一系列的重大研究项目。

2016年我国启动“十三五”国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项，第三代半导体材料是重点专项中的重要研究领域。

随后在2016年国务院发布的面向2030的6项重大科技项目和9大重大工程中，第三代半导体是“重点新材料研发及应用”重大项目的重要部分。

2016年12月，国务院成立国家新材料产业发展领导小组，贯彻实施制造强国战略，加快推进新材料产业发展；2017年2月，国家新材料产业发展专家咨询委员会成立。

2017年6月，第三代半导体产业技术创新战略联盟组织编辑2030国家重点新材料研发及应用第三代半导体版块实施方案。

在国家政策推动下，江苏、浙江、厦门、江西等地已逐步发展成为第三代半导体产业特色集聚区，那么目前成效如何？据吴玲介绍，目前国内中低压电力电子材料和器件已初步量产，应用快速渗透。

SiC方面，天科合达、山东天岳、中电集团2所等初步实现4英寸SiC单晶衬底材料量产，并开发出6英寸样品；泰科天润、世纪金光、中电55所、13所等多家企业和机构已实现600-3300V的SiC肖特二极管量产，处于用户验证阶段；中车株洲时代电气、国家电网联研院、厦门三安等企业建设了6英寸SiC电力电子器件工艺线。

GaN方面，中电13所已形成系列化GaN微波功率器件和MMIC产品，并被华为、中兴用于进行基站研发；苏州纳维、东莞中镓具备2-4英寸GaN单晶衬底材料的供货能力；苏州能讯、苏州晶湛、江苏能华、杭州士兰微、江苏华功半导体均已进入布局GaN电力电子材料和器件；三安集团也已建设GaN射频器件工艺线。

根据发展目标，2018~2020年间，我国将完成第三代半导体的产业基础建设，进行产业链的完善、核心装备研发、核心工艺开发、开发基础器件并开始示范应用等。

深圳坪山优先发展，政策即将出台

在国家政策推动下，江苏、浙江、厦门、江西等地已逐步发展成为第三代半导体产业特色集聚区，深圳亦是国内第三代半导体发展排头兵之一。

深圳市根据“十三五”规划的国际科技和产业创新中心定位，正在实施新一轮创新发展战略布局，将着力在核心芯片、人工智能等重点关键技术的突破。根据规划，坪山区为第三代半导体产业的优先发展区域。

坪山区作为深圳东部产业发展重要基地，集聚了中芯国际、比亚迪（中央研究院）、昂纳科技、金泰克、基本半导体、拉普拉斯等重点企业，集成威廉希尔官方网站 及第三代半导体产业集聚渐成规模。

为了加快第三代半导体发展步伐，深圳市已相继成第三代半导体器件重点实验室、深圳第三代半导体研究院，并在坪山区设立第三代半导体产业集聚区。坪山区政府于8月3日公开发布了《深圳市坪山区人民政府关于促进集成威廉希尔官方网站 第三代半导体产业发展若干措施（征求意见稿）》。

在高峰william hill官网 上，政府代表人员表示该政策即将出台，并重点介绍了政策主要内容。据介绍，该政策主要包括对符合条件的相关企业在资金、融资、租赁、落户等14方面的支持和资助奖励，具体有：

1.资金支持：坪山区级层面将成立产业发展专项资金以提供续的支撑，此外还将设立一个集成威廉希尔官方网站 专项产业基金，带动社会资本一起支撑第三代半导体击和集成威廉希尔官方网站 产业发展。

2.融资资助：对于企业获得一年期以上的信贷融资的，将按照利息或担保费50%，分别给予年度最高200万元的资助。

3.租金资助：对企业租赁创新型产业用房的，按照市场平均价的50%到90%，给予最高年度500万元的资助。

4.落户奖励：对新设立或新迁入的制造、封测类企业，按照落户后第一年实际完成工业投资额的10%，给予最高1000万元一次性奖励；对新设立或新迁入的设计、设备和材料类企业，按落户后第一年追加实缴资本的10%，给予最高500万元的资助。

5.研发资助：对企业关键技术攻关的，按照研发投入的10%，给予年度最高500万元的资助，对产品区域联合研发的资助额度提高到最高600万。

6.平台支持：对于企业建设的公共服务平台，经区政府认定的，按设备购置费的50%一次性给予最高2000万元的资助。

7.设计资助：企业购买EDA软件（含升级费用）、采购辖区公共服务平台设计服务等不同类型，

按实际发生费用的50%给予资助。

8.验证资助：对企业进行工程片、设备、材料测试验证的，按实际发生费用50%，给予年度最高200万元的资助。

9.流片资助：对企业参加多项目晶圆项（MPW）项目的，按MPW直接费用的80%（高校和科研院所比例提高到90%），给予年度最高200万元资助；对企业首次工程流片的，按照实际费用的30%，给予年度最高300万元资助；对利用辖区企业开展MPW的，最高资助额度为400万元。

10.首购奖励：对整机企业首购首用本辖区芯片，按采购金额的10%，一次性给予最高50万元奖励；对企业首购首用本辖区设备、材料的，按照采购金额的10%，一次性给予最高100万元的奖励。

11.经营资助：对生产性用电按用电费用的50%，一次性给予最高500万元资助；对企业建设双回路、储能电站等用电设施，按实际投入费用的30%，一次性给予最高500万元的资助；对企业的日常环保处理，按照实际支出的50%，给予最高100万元的资助；对企业建设环保处理工程的，按工资费用50%，给予年度最高500万元的资助。

12.配套资助：对于承担军工科研项目、设立海外研发中心、建设公共服务平台、获得国家首台（套）重大技术装备保险补偿的企业，分别按照上级实际资助额度的1:1给予配套资助。

13.技改资助：征求意见稿中关于微组装生产线、设备购置、洁净室装修的资助内容，将以更大支持力度纳入“实体经济二十条”的修订版中，即将发布。

14.人才资助：征求意见稿中关于人才资助的内容，将统筹纳入到“龙聚坪山”的人才政策，即将发布。