由门威廉希尔官方网站
组成的多谐振荡器有多种威廉希尔官方网站
形式,但它们均具有如下共同特点: 首先,威廉希尔官方网站
中含有开关器件,如门威廉希尔官方网站
、电压比较器、BJT 等。这些器件主要用来产生高、低电平;其次,具有反馈网络, 将输出电压恰当地反馈给开关器件使之改变输出状态;另外,还有延迟环节,利用RC威廉希尔官方网站
的充、放电特性可实现延时,以获得所需要的振荡频率。在许多实用威廉希尔官方网站
中,反馈网络兼有延时作用。
10.1.1 CMOS门威廉希尔官方网站
组成的多谐振荡器结构和原理
一种由CMOS门威廉希尔官方网站
组成的多谐振荡器如图10.1.1所示。其原理图和工作波形分别如图10.1.2(a)、(b)所示。图(a)中D1、D2、D3、D4均为保护二极管。
为了讨论方便,在威廉希尔官方网站
分析中,假定门威廉希尔官方网站
的电压传输特性曲线为理想化的折线,即开门电平(VON) 和关门电平(VOFF)相等,这个理想化的开门电平或关门电平称为门坎电平(或阈值电平),记为Vth且设Vth=VDD/2。
(1)第一暂稳态及威廉希尔官方网站
自动翻转的过程
假定在t=0时接通电源,电容C尚未充电,威廉希尔官方网站
初始状态为vO1=VOH,
v1=vO2=VOL 状态,即第一暂稳态。此时,电源VDD经G1的TP管、R和G2的TN管给电容C充电,如图10.1.2(a)所示。随着充电时间的增加,v1的值不断上升,当v1达到Vth时,威廉希尔官方网站
发生下述正反馈过程:
这一正反馈过程瞬间完成,使vO1=VOL vO2=VOH,威廉希尔官方网站
进入第二暂稳态。
(2)第二暂稳态及威廉希尔官方网站
自动翻转的过程
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进入第二暂稳态瞬间,v02由0V上跳至VDD,由于电容两端电压不断突变,则v1也将上跳VDD,本应升至VDD+Vth ,但由于保护二极管的钳位作用,v1仅上跳至VDD+△V+。随后,电容C通过G2的TP、电阻R 和G1的TN放电,使v1下降,当v1降至Vth后,威廉希尔官方网站
又产生如下正反馈过程:
从而使威廉希尔官方网站
又回到第一暂稳态,vO1=VOH,vO2=VOL。此后,威廉希尔官方网站
重复上述过程,周而复始的从一个暂稳态翻转到另一个暂稳态,在G2的输出端得到方波。
由上述分析不难看出,多谐振荡器的两个暂稳态的转换过程是通过电容C充、放电作用来实现的。
10.1.2 振荡周期的计算
在振荡过程中,威廉希尔官方网站
状态的转换主要取决于电容的充、放电,而转换时刻则取决于v1的数值。根据以上分析所得威廉希尔官方网站
在状态转换时v1的几个特征值,可以计算出图10.1.2(b)中的 T1、T2的值。
(1)T1的计算
对应于第一暂稳态,将图10.1.2(b)中T1、T2作为时间起点,T1=t2-t1,v1(0+)=-△V-≈0V,v1(∞)=VDD,τ=RC。根据RC威廉希尔官方网站
瞬态响应的分析,有(2)T2的计算
对应于图10.1.2(b),在第二暂稳态,将t2作为时间起点,则有v1(0+)=VDD+△V+≈VDD,v1(∞)=0,τ=RC,由此可求出T2=RC所以将Vth=VDD/2代入,上式变为T=RCln4≈1.4RC 。
图10.1.1是一种最简型多谐振荡器,上式仅适用于R>>RON(P)+RON(N)(其中,RON(P)、RON(N)分别为CMOS门中NMOS、PMOS管的导通电阻),c 远大于威廉希尔官方网站
分布电容的情况。当电源电压波动时,会使振荡频率不稳定,在Vth≠VDD/2时,影响尤为严重。一般可在该图中增加一个补偿电阻 ,如图10.1.3所示。Rs可减小电源电压变化对振荡频率影响。当Vth=VDD/2时,取RS>>R(一般取RS=10R )。