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MOS场效应晶体管高阻抗偏置方法
- 晶体管(132990)
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场效应晶体管的基础知识
场效应晶体管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。它的主要特点是具有输入电阻高、噪声低、功耗低等优点。场效应晶体管的工作原理是基于电场效应，即在栅极和源极之间施加一个控制电压，使得沟道区域的载流子发生漂移，从而改变电流的导通状态。
2023-09-28 17:10:46
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MOS场效应晶体管的特性与原理
MOS场效应晶体管(简称MOS管)是一种新型的半导体器件，图1是N沟导MOS管芯结构原理图，即在P型硅基片上有两个 N+扩散区，其中一个称源，用S表示，另一个称漏，用D表示，在D和S间的硅片上覆盖了较薄的8iO。绝缘层和金属层，并引出一电极，称栅，用G表示。应用中 D接正，8接地，G用正电源控制。
2023-09-19 11:06:05130
130MOSFET场效应晶体管设计基础
MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的简称，有时候我们也会简写成MOS。下面是一个典型的MOSFET结构。
2023-07-11 10:56:24440
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场效应晶体管的工作原理和结构
场效应晶体管(Field Effect Transistor，简称FET)是一种半导体器件，它是一种基于电场效应的三极管。与普通的三极管相比，场效应晶体管的控制电流非常小，因此具有高输入阻抗和低噪声等优点。
2023-05-17 15:15:372186
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场效应晶体管的作用
场效应晶体管是电压控制元件，因此和普通双极型晶体管相比，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特点，这就决定了场效应晶体管与其它电子元件有异曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:04769
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场效应晶体管工作原理
场效应晶体管是一种利用控制输入威廉希尔官方网站
的电场效应来控制输出威廉希尔官方网站
电流的半导体器件，并以此命名。因为它只依靠半导体中的多数载流子来导电，所以又称为单极晶体管。场效应晶体管英文是Field Effect Transistor，缩写为FET。
2023-05-16 15:02:23375
375场效应晶体管放大威廉希尔官方网站 详解
场效应晶体管的源极、漏极和栅极分别相当于晶体管的发射极、集电极和基极。对应于晶体管放大威廉希尔官方网站
，场效应晶体管放大威廉希尔官方网站
也有三种组态：共源极放大威廉希尔官方网站
、共漏极放大威廉希尔官方网站
和共栅极放大威廉希尔官方网站
，其特点分别和晶体管放大威廉希尔官方网站
中的共射极、共集电极、共基极放大威廉希尔官方网站
类似。
2022-11-30 09:30:001635
1635MOS场效应晶体管使用注意事项_MOS场效应管安装及拆卸流程
MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成威廉希尔官方网站
）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则。
2020-10-02 18:06:006720
6720如何进行场效应晶体管的分类和使用
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
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20场效应晶体管的简单介绍
场效应晶体管（FET）简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
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103FET场效应晶体管扫盲
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两列典型的场效应晶体管应用威廉希尔官方网站
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中C1和C2分别是输入端耦合电容和输出端耦合电容。威廉希尔官方网站
中的正极性电源通过漏极负载电阻R2，把电压加在了场效应晶体管的漏极，而负极性电源通过栅极偏置电阻R1，把电压加在了场效应晶体管的栅极。
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场效应晶体管六大选择技巧
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设计与研发中，不仅是开关电源威廉希尔官方网站
中，也有在携带式电子设备的威廉希尔官方网站
中都是会运用到性能更好的电子元器件——场效应晶体管
2019-08-18 10:07:524880
488051单片机的场效应晶体管详细资料说明
不同的是，场效应晶体管（FET）是一种用电压来控制电流的器件，具有很高的输入阻抗，且温度稳定性好、噪声低。按照结构的不同，场效应晶体管可以分为以下两类：
2019-06-04 17:53:003
3隧穿场效应晶体管是什么_隧穿场效应晶体管的介绍
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107场效应晶体管开关威廉希尔官方网站
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场效应晶体管（简称场效应管）有结型（J-FET）和绝缘栅型（MOS-FET）两类。
场效应管作为开关器件应用类似
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场效应晶体管
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