美高森美为非穿通型IGBT产品系列增添多款新器件

　　致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司（Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC）宣布其新一代1200V非穿通型（non-punch through， NPT） IGBT系列增添十多款全新器件，包括25A、50A和70A额定电流型款。

　　美高森美的NPT IGBT产品系列设计用于需要大功率和高性能广大范围的工业应用，最新的器件非常适合电焊机、太阳能逆变器，以及不间断电源和开关电源。1200V产品系列中的所有器件均以美高森美的先进Power MOS 8™技术为基础，与竞争解决方案相比，总体开关和导通损耗显著降低20%或更多。

　　美高森美新的NPT IGBT解决方案与该产品系列中的所有器件相一致，可以与美高森美的FRED或碳化硅肖特基二极管组合封装，为工程师提供高集成度解决方案，以便简化产品开发工作。其它特性包括：

　　· 与同类器件相比，栅极电荷显著减少，具有更快的开关性能；

　　· 硬开关运作频率超过80KHz，实现高效的功率转换；

　　· 易于并联（Vcesat的正温度系数），提升大功率应用的可靠性

　　· 额定短路耐受时间（Short Circuit Withstand Time Rated， SCWT），在需要短路能力的应用中实现可靠运作

　　除了器件优势之外，美高森美为NPT IGBT器件提供贴片 D3封装，可让设计人员实现更高的功率密度和更低的制造成本。

　　封装和供货

　　美高森美的1200V NPT IGBT产品系列现在包括20多款器件，额定电流有25A、40A、50A、70A和85A，IGBT产品采用D3、TO-247、T-MAX、TO-264和SOT-227封装供货。

　　新器件现在正在生产，要了解更多的信息，或获取产品样品，请发送电邮至sales.support@microsemi.com，或者联络当地分销商和美高森美销售代表。

　　关于美高森美公司

　　美高森美公司（Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC） 为通信、国防与安全、航天与工业提供综合性半导体与系统解决方案，产品包括高性能、耐辐射的高可靠性模拟和射频器件，可编程逻辑器件（FPGA）可定制单芯片系统（SoC） 与专用集成威廉希尔官方网站 （ASIC）；功率管理产品、时钟与语音处理器件，RF解决方案；分立组件；安全技术和可扩展反篡改产品；以太网供电（PoE）IC与电源中跨（Midspan）产品；以及定制设计能力与服务。美高森美总部设于美国加利福尼亚州Aliso Viejo，全球员工总数约3，000人。欲获取更详尽信息，请访问网站：http://www.microsemi.com。