Diodes推出高击穿电压的四开关二极管阵列

Diodes推出高击穿电压的四开关二极管阵列

Diodes公司推出击穿电压为400V的四开关二极管阵列MMBD5004BRM，旨在承受DAA调制解调器正极和负极电话线接口和一般离线整流应用中最坏的线瞬变情况。

MMBD5004BRM二极管阵列结合了更快的开关速度（trr=50ns）和低结电容（在VR=0V和f=1.0MHz时典型值为0.7pF），使其成为保持高速信号完整性的理想选择。其225mA的连续高额定电流和625mA的峰值电流为DAA调制解调器提供了一个安全余量。

与现有的微型桥解决方案相比，MMBD5004BRM采用更小的四二极管方案，并以SOT26封装节约了空间，把2对分开的串联二极管连接为1个全波整流桥，使该二极管阵列适合PCB尺寸和成本至关重要的应用。