详解大电流H桥电机驱动威廉希尔官方网站

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   用半桥/全桥驱动芯片和MOS管搭建合适的H桥电机驱动威廉希尔官方网站 实现对大电流电机的驱动控制。该电机驱动板有两个H桥威廉希尔官方网站 ，可以同时控制双路电机。可通过相应的控制信号来控制电机的转速和正反转。

大电流H桥电机驱动威廉希尔官方网站 原理图：

PCB 3D图：

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搭建H桥驱动威廉希尔官方网站 一般都包括两个部分：半桥/全桥驱动芯片和MOS管。自行搭建的H桥驱动所能通过的电流几乎由MOS管的导通漏极电流所决定。因此，选择适当的MOS管，即可设计出驱动大电流电机的H桥驱动威廉希尔官方网站 。 NMOS管     在选择MOS管搭建H桥时，主要需注意以下一些参数：

漏极电流（Id）：该电流即限制了所能接入电机的最大电流（一般要选择大于电机堵转时的电流，否则可能在电机堵转时烧毁MOS管）。

栅源阈值电压/开启电压（Vth）：该电压即MOS管打开所需的最小电压，也将决定后续半桥驱动芯片的选择和设计（即芯片栅极控制脚的输出电压）。

漏源导通电阻（Rds）：该电阻是MOS管导通时，漏极和源极之间的损耗内阻，将会决定电机转动时，MOS管上的发热量，因此一般越小越好。

最大漏源电压（Vds）：该电压是MOS管漏源之间所能承受的最大电压，必须大于加在H桥上的电机驱动电压。

半桥驱动芯片     

在H桥驱动威廉希尔官方网站 中，一共需要4个MOS管。而这四个MOS管的导通与截止则需要专门的芯片来进行控制，即要半桥/全桥驱动芯片。     所谓半桥驱动芯片，便是一块驱动芯片只能用于控制H桥一侧的2个MOS管（1个高端MOS和1个低端MOS）。因此采用半桥驱动芯片时，需要两块该芯片才能控制一个完整的H桥。     相应的，全桥驱动芯片便是可以直接控制4个MOS管的导通与截止，一块该芯片便能完成一个完整H桥的控制。

编辑：黄飞