嵌入式操作系统
EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory),电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息,重新编程。一般用在即插即用。
由于EPROM操作的不便,后来出的主板上BIOS ROM芯片大部分都采用EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM,电可擦除可编程ROM)。EEPROM的擦除不需要借助于其它设备,它是以电子信号来修改其内容的,而且是以Byte为最小修改单位,不必将资料全部洗掉才能写入,彻底摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚。
EEPROM在写入数据时,仍要利用一定的编程电压,此时,只需用厂商提供的专用刷新程序就可以轻而易举地改写内容,所以,它属于双电压芯片。借助于EEPROM芯片的双电压特性,可以使BIOS具有良好的防毒功能,在升级时,把跳线开关打至“on”的位置,即给芯片加上相应的编程电压,就可以方便地升级;平时使用时,则把跳线开关打至“off”的位置,防止CIH类的病毒对BIOS芯片的非法修改。所以,至今仍有不少主板采用EEPROM作为BIOS芯片并作为自己主板的一大特色。
EEPROM相关专业术语:
1.electrically erasable programmable read only memory(EEPROM)电气可拭除可编程只读存储器
2.memory, electrically erasable programmable read only(EEPROM)电气拭除式可编程只读存储器
Flash是由macromedia公司推出的交互式矢量图和 Web 动画的标准,由Adobe公司收购。做Flash动画的人被称之为闪客。网页设计者使用 Flash 创作出既漂亮又可改变尺寸的导航界面以及其他奇特的效果。Flash的前身是Future Wave公司的Future Splash,是世界上第一个商用的二维矢量动画软件,用于设计和编辑Flash文档。
Flash是一种动画创作与应用程序开发于一身的创作软件,到2013年9月2日为止,最新的零售版本为AdobeFlash ProfessionalCC(2013年发布)。Adobe Flash Professional CC为创建数字动画、交互式Web站点、桌面应用程序以及手机应用程序开发提供了功能全面的创作和编辑环境。Flash广泛用于创建吸引人的应用程序,它们包含丰富的视频、声音、图形和动画。
可以在Flash中创建原始内容或者从其它Adobe应用程序(如Photoshop或illustrator)导入它们,快速设计简单的动画,以及使用Adobe ActionScript 3.0开发高级的交互式项目。设计人员和开发人员可使用它来创建演示文稿、应用程序和其它允许用户交互的内容。Flash可以包含简单的动画、视频内容、复杂演示文稿和应用Adobe将动画制作软件Flash professional CC2015升级并改名为Animate CC 2015.5,从此与Flash技术划清界限。
掉电需保护且在程序运行过程中需要修改的少量参数保存在EEPROM中,其擦除次数较Flash多,Flash用来做程序和一些掉电保护和不需修改的数据。
Flash memory指的是“闪存”,所谓“闪存”,它也是一种非易失性的内存,属于EEPROM的改进产品。它的最大特点是必须按块(Block)擦除(每个区块的大小不定,不同厂家的产品有不同的规格),而EEPROM则可以一次只擦除一个字节(Byte)。目前“闪存”被广泛用在PC机的主板上,用来保存BIOS程序,便于进行程序的升级。其另外一大应用领域是用来作为硬盘的替代品,具有抗震、速度快、无噪声、耗电低的优点,但是将其用来取代RAM就显得不合适,因为RAM需要能够按字节改写,而Flash ROM做不到。
FLASH的全称是FLASH EEPROM,但跟常规EEPROM的操作方法不同。FLASH 和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作,EEPROM则按字节操作,二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同,FLASH的威廉希尔官方网站 结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比EEPROM低,因而适合用作程序存储器,EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。
当然用FLASH做数据存储器也行,但操作比EEPROM麻烦的多,所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有 FLASH,EEPROM在运行中可以被修改,而FLASH在运行时不能修改,EEPROM可以存储一些修改的参数,Flash中存储程序代码和不需修改的数据。
所谓的Flash是用来形容整个存储单元的内容可以一次性擦除。所以,理论上凡是具备这样特征的存储器都可以称为Flash memory.E2PROM里面也分FF-EEPROM和FLASH EEPROM的。现在大家所讲的Flash memory实际上分为两大类,一类是Floating Gate Device, 一类是Charge Trapping Device。这里的分类标准主要是program 与 erase的机制的不同。
补充:(E2PROM=EEPROM)
一:FLASH和E2PROM
1:相同点是两者都能掉电存储数据
2:区别:
1)FLASH按扇区操作,EEPROM则按字节操作
2)FLASH写入时间长,EEPROM写入时间短
3)FLASH擦写次数少(10000次),EEPROM次数多(1000000次)
4)FLASH的威廉希尔官方网站 结构较简单,成本低,EEPROM工艺复杂,成本高
二:单片机的数据存储器不能用FLASH,因为:
1:FLASH有一定的擦除、写入次数,一般的单片机的FLASH擦除写入次数的标称值是10000次。
2:FLASH写入数据需要比较长的时间,大约需要4-6ms.而且写FLASH需要加上9V的高压,麻烦。
三:至于E2PROM,可以作为数据存储器,但是单片机如atmega128一般用RAM作为数据存储器,因为E2PRM工艺复杂,成本高,适合于存储掉电保护的数据,而这类数据往往不需要存储太多。所以一般的单片机都没在内部集成E2PROM,需要的时候,可以让单片机外挂24C01一类的串行E2PROM.
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