氧清洗硅晶片污染物的实验研究

本研究的目的是为高效半导体器件的制造提出高效的晶圆清洗方法，主要特点是清洗过程是在室温和标准压力下进行的，没有特殊情况。尽管该方法与实际制造工艺相比，半导体公司的效率相对较低，但本研究可以提出在室温和标准压力下进行硅片干洗工艺的可能性。这意味着可以减少使用化学品，节省能源的加热基板和疏散清洁室，并为这些设施节省资金。

由于与其他半导体相比，线宽18㎛相对较宽，因此在实验中得到的蚀刻率相对较低。

在六氟化硫等离子体蚀刻晶片的SEM显微图中显示，当臭氧/紫外清洗时间为5min时，光刻胶没有被去除，图中有大量污染物颗粒和光刻胶碎片，臭氧/紫外清洗时间为5min，图4.16为臭氧/紫外清洗时间为20min时不去除光刻胶的晶片，在图4.16中也可以确认清洁的晶片表面，以500次放大倍数拍摄。

从每个实验和分析中可以得出以下结果：（1）在流量0.5ℓ/min和放电功率分别为22.9W、21.0W、21.0W、26.2W和每个真空0.1Torr、1个Torr和760Torr下，最大臭氧浓度分别为8840ppm、7770ppm和6595ppm；（2）在流速为1ℓ/min、1ℓ/min、0.5ℓ/min、放电功率为23.4W、21.3W、26.3W、26.2W，每个真空分别为0.1Torr、1Torr和760Torr时，最大臭氧发电量分别为593㎎/h、506㎎/h和388㎎/h；（3）臭氧浓度和臭氧生成量随放电功率的增加而逐渐增加，且与真空水平成正比。因此，在真空0.1Torr，流速0.5ℓ/mim时，最大臭氧浓度为8840ppm，在真空0.1Torr下，最大臭氧产生浓度为593㎎/h，流速1-186-ℓ/min时，最大臭氧产生功率为23.4W；（4）在流速1.1ℓ/min、1ℓ/min、0.5ℓ/min下获得32.59ℓ/㎾h，排放功率4.94W、7.30W、10.25g/㎾h和15.25g/㎾h。

　　审核编辑：汤梓红