如何成功地清除来自晶片表面的颗粒污染

为了成功地清除来自晶片表面的颗粒污染，有必要了解颗粒与接触的基底之间的附着力和变形,变形亚微米颗粒的粘附和去除机理在以往的许多研究中尚未得到阐明。亚微米聚苯乙烯乳胶颗粒（0.1-0.5mm）沉积在硅片上，并通过自旋冲洗和巨型清洗去除，颗粒滚动是硅晶片中变形亚微米颗粒的主要去除机理，超电子学提供了更大的流流速度，因为超薄的边界层会产生更大的去除力，能够完全去除受污染的粒子，为了去除颗粒，有必要了解接触颗粒与接触基底之间的附着力和变形。

如图所示5，对于0.1-0.5mm的亚微米PSL颗粒，自旋漂洗的RM小于1，而巨气清洗产生更大的RM(RM>>1)，RM随着颗粒尺寸的增大而增加。因此，正如我们所预期的那样，粒子的去除率会随着RM的增加而增加，超电子学可以提高粒子的去除效率。通过图中所示的自旋漂洗和大型清洗数据，证实了这一结论。巨能学能够实现0.1-0.5mmPSL粒子的完全去除，而自旋冲洗的去除率低于80%。阻力主要通过滚动粒子来去除亚微米颗粒。用硅表面的0.1-0.5mmPSL粒子进行的自旋冲洗和大型清洗实验验证了这一点。一个重要的去除参数RM被定义为去除力矩与粘附力矩的比值。结果表明，颗粒去除率随RM的增加而增加，超音学（高频超声）比自旋电子材料杂志，冲洗去除亚微米粒子，因为它在极薄的声边界层产生的高频RM。

　　审核编辑：汤梓红