Vishay的PowerPAIR功率MOSFET荣获2012中国年度电子成就奖

　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 4 月26 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，该公司的SiZ710DT 20 V n沟道PowerPAIR®功率MOSFET荣获功率器件/电压转换器类别的2012中国年度电子成就奖。

　　中国电子成就奖的功率器件/电压转换器产品年度奖项授予在设计和技术上有突出优点，为工程师提供了新的强大功能，能够大大节省时间、成本、占用空间等资源的产品。此外，该奖项颁发给将会在中国大陆地区产生重要影响的产品。

　　SiZ710DT是首款在6mm x 3.7mm的PowerPAIR封装中采用TrenchFET Gen III技术的非对称双边TrenchFET®功率MOSFET，可用于笔记本电脑、VRM、电源模块、图形卡、服务器和游戏机中的系统电源、POL、低电流DC/DC和同步降压应用。器件的导通电阻比前一代MOSFET低43%，同时具有更高的最大电流并能提高效率。

　　SiZ710DT具有此类器件中最低的导通电阻，在小尺寸外形内集成了低边和高边MOSFET，比DC/DC转换器中由两个分立器件组成的解决方案能节省很多空间。低边的沟道2 MOSFET使用了针对非对称结构的优化空间布局，在10V和4.5V下的导通电阻为3.3mΩ和4.3mΩ，高边沟道1 MOSFET在10V和4.5V下的导通电阻为6.8mΩ和9.0mΩ。

　　颁奖仪式与在深圳举行的IIC-China 2012(3月23日至25日)同期举行，Vishay的中国及香港区高级销售总监Eric Lo代表Vishay领取了该奖项。