新功率器件让服务器能效达到93％

　　通过大幅降低三个关键的能效优值（FOM），这种全新的器件无论在任何负载条件下，都可使MOSFET功耗降低20%，同时达到更高的性能。此外，更高的功率密度还能让典型电源的降压转换器的占板空间缩小40%以上。

　　例如，在一个六相稳压器设计中，采用一个5V栅极驱动的全新25V OptiMOS器件，在输出电流为30A 至180A条件下，能效可超过90%，最高可达93%。这主要归功于该器件具备行业最低的导通电阻、最低的栅极电荷以及最低的输出电容等特性。英飞凌声称，它是全球第一家能够提供同时具备这样三种特性的器件的功率MOSFET供应商。

　　据几家市场研究公司的预测，2011年服务器保有量将达到6,000万台。这些服务器的平均功耗为600瓦，总耗电量高达36,000兆瓦。这些服务器的用电量每减少1%，即可节省360兆瓦的电能，相当于一座水电站的装机容量。此外，更高效的电源的制冷需求相应降低，从而进一步减少耗电量。

　　英飞凌科技低压MOSFET产品线负责人Richard Kuncic指出：“更高效地使用能源，也就是说消耗更少的电能，是确保未来能源安全的最有效的途径，英飞凌将为此做出巨大贡献。英飞凌为工业、电信、消费类电子设备和家电等领域的产品提供非常强大和高效的MOSFET解决方案。我们设立了MOSFET的性能标杆。我们矢志巩固我们作为MOSFET器件头号供应商的地位，使电源尽可能达到最高能效。通过推出这个全新的25V OptiMOS器件系列，我们能够让客户设计出功耗和成本更低的产品。”

　　电源设计人员可通过采用25V OptiMOS器件，减少产品的用电量，降低其热负载，甚至缩小其尺寸。这些改进对于数据中心运营商而言十分有益，因为服务器运行及制冷所发生的电费，是数据中心最大的运营成本项目。最终用户同样非常重视缩小整个系统的体积。

　　英飞凌全新推出的25V OptiMOS分立式器件采用三种封装形式：SuperSO8、CanPAK和超小的S3O8封装。S3O8封装尺寸仅为3.3 毫米 x 3.3毫米。若采用S3O8封装，一个六相转换器的外形尺寸仅为1,120平方毫米，比另外两种封装分别缩小45%至 55%。全新推出的DrMOS器件——TDA21220——是一个多片封装，集成了两个全新的OptiMOS晶体管和一个驱动IC。它的能效比市场上同类解决方案高2%至4%。

　　相对于采用低导通电阻沟槽技术和超低栅极电荷横向MOSFET概念的器件，OptiMOS25V器件在能效优值方面表现更为出色。在导通电阻相同的情况下，全新的OptiMOS 25V器件的栅极电荷，比采用最接近的沟槽工艺制造的器件低35%，而其输出电荷比最佳的横向MOSFET器件低一半。

　　供货与定价

　　25V OptiMOS系列和TDA21220 DrMOS器件的工程样品已开始供货。典型的定价是，当订购量达2,000枚时，采用SuperSO8封装（BSC010NE2LS）的1毫欧25V OptiMOS器件单价约为1欧元（1.4美元）。当订购量达2,000枚时，TDA21220的起价约为1.55欧元（2.17美元）。

英飞凌还计划在今年第二季度推出全新的30V OptiMOS系列。与英飞凌产品组合中的数字电源控制器和其他电源管理器件结合使用，该器件系列将成为满足白牌笔记本和英特尔规定的能效与性能要求的笔计本电脑电源的理想之选。