Vishay的Si7655DN -20V P沟道MOSFET荣获EDN China 2013创新奖之最佳产品奖

　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 12 月20 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其Si7655DN -20V P沟道Gen III功率MOSFET荣获EDN China 2013创新奖之电源器件和模块类最佳产品奖。

　　EDN China创新奖于2005年引入国内，以表彰在中国市场上的IC和相关产品在设计上所取得的成就。今年，共有82家公司的144款产品角逐9个技术门类的奖项。EDN China的在线读者投票选出73款提名产品，再由技术专家和EDN高级编辑组成的评审团选出最终的获奖产品。

　　Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的-20V P沟道MOSFET，在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻仅为4.8mΩ。Si7655DN还是首个采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封装的器件，该封装实现了更低的RDS（on），同时0.75mm的标称高度比前一版本封装的高度薄28%，并保持相同的PCB布板样式。

　　通过使用新的PowerPAK 1212封装版本和Vishay Siliconix业内领先的P沟道TrenchFET® Gen III技术，Si7655DN实现了3.6mΩ（-10V）、4.8mΩ（-4.5V）和8.5mΩ（-2.5V）的最大导通电阻。这些指标比最接近的同档-20V器件低17%以上。Si7655DN的低导通电阻使设计者能够在其威廉希尔官方网站 里实现更低的压降，更有效地使用电能，并延长电池使用寿命，其小尺寸封装有助于节省宝贵的空间。

　　所有EDN China 2013创新奖获奖产品的中文信息发布在网址http://www.ednchina.com/award/2013/result2013.HTM。

　　VISHAY简介

　　Vishay Intertechnology， Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。

　　PowerPAK®和TrenchFET®是Siliconix公司的注册商标。