C4D10120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更加坚固可靠。将碳化硅二极管与碳化硅 MOSFET配对可在一起购买时实现更高效率和更低组件价格的强大组合。
好处
• 用单极整流器代替双极
• 基本上没有开关损耗
• 更高的效率
• 降低散热器要求
• 没有热失控的并行器件
特征
• 1.2kV 肖特基整流器
• 零反向恢复电流
• 高频操作
• 与温度无关的开关
• 极快的切换
• VF 上的正温度系数
• 增加爬电距离/电气间隙
应用
• 开关模式电源 (SMPS)
• PFC 或 DC/DC 级中的升压二极管
• 逆变器级中的续流二极管
• AC/DC 转换器
阻断电压:1200V
最大持续电流：10A
总电容电荷：每条腿52nC
功耗：140W
正向电压：1.5V
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