E4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更加坚固可靠。将碳化硅二极管与碳化硅 MOSFET配对可在一起购买时实现更高效率和更低组件价格的强大组合。
好处
• 用单极整流器代替双极
• 基本上没有开关损耗
• 更高的效率
• 降低散热器要求
• 没有热失控的并行器件
• 户外环境的理想选择
特征
• 第 4 代 SiC 合并 PIN 肖特基技术
• 零反向恢复电流
• 高频操作
• 与温度无关的开关行为
• 符合 AEC-Q101 标准并支持 PPAP
• 防潮
应用
• PFC 或 DC/DC 级中的升压二极管
• 逆变器级中的续流二极管
• AC/DC 转换器
• 汽车和牵引电源转换
• 光伏逆变器
阻断电压:1200V
最大持续电流：20A
总电容电荷：每条腿52nC
功耗：176W
正向电压：1.5V
相关型号
C3D20065D C4D10120D
C6D20065D C4D10120A
E3D20065D C4D15120H
C3D30065D C4D15120D
E3D30065D C4D15120A
E4D02120E E4D20120A
C4D02120E E4D20120D
C4D02120A C4D20120H
C4D05120E C4D20120D
C4D05120A C4D20120A
C4D08120E E4D20120G
C4D08120A C4D30120H
E4D10120A C4D30120D
C4D10120H C4D40120H
C4D10120E C4D40120D