PN8200 电源X电容放电芯片特征
■ 内置1000V高雪崩能力的VDMOS
■ 无外部GND引脚，抗干扰能力强
■ AC电压接入后阻止X电容放电
■ AC电压断电后通过放电电阻对X电容放电
■ X电容容值灵活调节，优化EMI设计
■ 芯片自偏置，无需外部偏置
■ 两端子结构，满足安规标准
■ 内部限制最大放电电流
■ 通过IEC 62368-1:2014认证
PN8200 电源X电容放电芯片-PN8200威廉希尔官方网站 图
型号:
PN8200SEC-R1