QPD1017 内部匹配分立式 GaN

型号: QPD1017

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QPD1017

产品简介
Qorvo 的 QPD1017 是一款 450 W (P3dB) 内部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT,工作频率范围为 3.1 至 3.5 GHz,采用 50V 电源轨。该器件是 GaN IMFET,完全匹配 50 欧姆,采用行业标准气腔封装,非常适合军用雷达。

 

产品规格
最低频率(MHz) 3,100
最大频率(MHz) 3,500
增益(分贝) 16.5
饱和度(dBm) 56.6
PAE (%) 60
电压(伏) 50
Idq (毫安) 750
包装类型 RF-565
包装(毫米) 17.40 x 24.00 x 4.31

 

主要特征
频率范围:3.1 - 3.5 GHz
输出功率 (P3dB):3.3 GHz 时为 460 W
线性增益:3.3 GHz 时典型值为 16.5 dB
典型 PAE3dB:3.3 GHz 时为 60%
工作电压:50V
低热阻封装
脉冲能力

 

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