产品简介
DIODES 的 DMN2019UTS 这种新一代MOSFET的设计目的是最大限度地降低现场电（RDS（on）），同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理的理想选择应用程序。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN2019UTS
名称 N沟道MOSFET
产地 台湾
封装 TSSOP-8
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.4 A
PD @TA = +25°C (W) 0.78 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 18.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 21 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 24 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 31 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.35 V
|VGS(TH)| Max (V) 0.95 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.8 nC
CISS Typ (pF) 143 pF
主要特征
低导通电阻
低输入电容
切换速度快
高达2KV的ESD保护
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