产品简介
DIODES 的 DMT10H9M9SH3 该 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMT10H9M9SH3
名称 100V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 TO251
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 84 A
PD @TA = +25°C (W) 3 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 9 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 30 nC
CISS Typ (pF) 2085 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V
主要特征
低导通电阻
低输入电容
相关型号
DMS2095LFDB
DMS2120LFWB
DMS2220LFDB
DMS3014SFGQ
DMT10H003SPSW
DMT10H009LCG
DMT10H009LFG
DMT10H009LH3
DMT10H009LK3
DMT10H009LPS
DMT10H009LSS
DMT10H009SCG
DMT10H009SK3
DMT10H009SPS
DMT10H009SSS
DMT10H010LCT
DMT10H010LK3
DMT10H010LPS
DMT10H010LSS
DMT10H010LSSQ
DMT10H010SPS
DMT10H014LSS
DMT10H015LCG
DMT10H015LFG
DMT10H015LK3
DMT10H015LPS
DMT10H015LSS
DMT10H015SK3
DMT10H015SPS
DMT10H017LPD
DMT10H025LK3
DMT10H025LSS
DMT10H025SK3
DMT10H025SSS
DMT10H032LDV
DMT10H032LFDF
DMT10H032LFVW
DMT10H032LK3
DMT10H032LSS
DMT10H032SFVW
DMT10H052LFDF
DMT10H072LFDF
DMT10H072LFDFQ
DMT10H072LFV
DMT10H4M5LPS
DMT10H9M9LCT
DMT10H9M9SCT
DMT10H9M9SH3
DMT12H007LPS
DMT12H007SPS
DMT12H060LCA9
DMT12H060LFDF
DMT12H065LFDF
DMT12H090LFDF4
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DMT2004UFDF
DMT2004UFG
DMT2004UFV
DMT2004UPS
DMT2005UDV
DMT3002LPS
DMT3003LFG
DMT3003LFGQ
DMT3004LFG
DMT3004LPS
100V N 沟道增强型 MOSFET 晶体管
产品简介
DIODES 的 DMT10H9M9SH3 该 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMT10H9M9SH3
名称 100V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 TO251
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
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|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 84 A
PD @TA = +25°C (W) 3 W
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|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 30 nC
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DMT3004LFG
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